| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| ·脉冲激光沉积技术的工艺特点 | 第11-16页 |
| ·PLD 技术的发展现状及展望 | 第16-17页 |
| ·PLD 动力学的理论模型 | 第17-21页 |
| ·S-N 模型 | 第17-18页 |
| ·Zhang－Li(Z-L)理论模型 | 第18-21页 |
| ·纳秒脉冲激光烧蚀靶材的研究 | 第18-19页 |
| ·等离子体的空间膨胀 | 第19-21页 |
| ·薄膜沉积特性 | 第21页 |
| ·本文研究的主要目的和内容 | 第21-24页 |
| 2 薄膜生长的动力学理论及研究方法概述 | 第24-40页 |
| ·薄膜生长动力学研究的意义 | 第24-25页 |
| ·薄膜生长过程中的微观动力学过程 | 第25-28页 |
| ·气相粒子的吸附 | 第25-27页 |
| ·薄膜的形成及生长模式 | 第27-28页 |
| ·研究薄膜生长过程的主要理论方法 | 第28-33页 |
| ·分子动力学方法 | 第29-30页 |
| ·动力学蒙特卡罗方法 | 第30-33页 |
| ·重要的薄膜生长蒙特卡罗模型 | 第33-38页 |
| ·Eden 模型 | 第33页 |
| ·扩散限制聚集模型及其相关模型 | 第33-36页 |
| ·改进的考虑基底温度的KMC 模型 | 第36-37页 |
| ·表面反应限制聚集（Reactive Limited Aggregation ,简称RLA）模型 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 3 等离子体膨胀过程的数值模拟研究 | 第40-54页 |
| ·脉冲激光烧蚀产生的等离子体的特征 | 第40-42页 |
| ·电子发射 | 第40-41页 |
| ·离子发射 | 第41页 |
| ·中性粒子发射 | 第41-42页 |
| ·等离子体冲击波模型 | 第42-43页 |
| ·脉冲激光制膜过程中等离子体速度演化规律 | 第43-50页 |
| ·等离子体的速度演化规律 | 第44-50页 |
| ·脉冲激光制膜过程中等离子体外形演化 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 4 基底温度和入射粒子动能对PLD 薄膜生长的影响 | 第54-77页 |
| ·连续式沉积与脉冲式沉积 | 第54-55页 |
| ·PLD 薄膜生长的主要特征 | 第55-57页 |
| ·PULSED KMC 模型 | 第57-59页 |
| ·基底温度对薄膜形貌的影响 | 第59-65页 |
| ·粒子入射动能对薄膜形貌的影响 | 第65-72页 |
| ·较低动能粒子沉积对薄膜生长的影响 | 第65-68页 |
| ·能量粒子沉积的微观动力学过程 | 第68-72页 |
| ·基底温度与入射动能的影响之比较 | 第72-75页 |
| ·小结 | 第75-77页 |
| 5 脉冲强度及脉冲频率对PLD 薄膜生长的影响 | 第77-94页 |
| ·脉冲强度对PLD 薄膜生长的影响 | 第77-81页 |
| ·脉冲强度变化时PLD 薄膜生长的标度理论 | 第81-87页 |
| ·临界现象中的标度理论 | 第81-82页 |
| ·PLD 薄膜生长的标度行为 | 第82-87页 |
| ·脉冲频率对PLD 薄膜生长的影响 | 第87-91页 |
| ·脉冲频率变化时PLD 薄膜生长的标度理论 | 第91-92页 |
| ·小结 | 第92-94页 |
| 6 总结与展望 | 第94-98页 |
| ·总结 | 第94-95页 |
| ·本文的创新之处 | 第95-96页 |
| ·展望 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-109页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第109页 |