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多晶FeS2薄膜电学性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-22页
   ·课题背景第10-13页
   ·FeS_2薄膜的电学性能第13-15页
     ·FeS_2薄膜的晶体结构及电子结构第13-15页
     ·FeS_2薄膜中电阻率与载流子浓度及迁移率的关系第15页
   ·FeS_2薄膜电学性能的影响因素第15-16页
   ·掺杂对FeS_2薄膜电学性能的影响第16-18页
   ·FeS_2薄膜的电传导机制第18-21页
     ·晶界势垒模型第18-19页
     ·跳跃传导模型第19-20页
     ·晶体点缺陷模型第20-21页
   ·本章小结第21-22页
第2章 试验方法第22-26页
   ·FeS_2薄膜的制备第22-23页
   ·实验方案第23页
   ·FeS_2薄膜的性能测试第23-26页
第3章 面缺陷对FeS_2薄膜电学性能的影响第26-34页
   ·FeS_2薄膜面缺陷密度的计算模型第26-27页
   ·晶体结构第27-28页
   ·比表面积对FeS_2薄膜电学性能的影响第28-30页
   ·比界面积对FeS_2薄膜电学性能的影响第30-32页
   ·本章小节第32-34页
第4章 S/Fe比及其它影响FeS_2薄膜电学性能的因素第34-46页
   ·S/Fe比对载流子浓度及电阻率的影响第35-37页
   ·硫化温度对FeS_2薄膜电学性能的影响第37-38页
   ·硫化时间对FeS_2薄膜电学性能的影响第38-43页
   ·硫化压力对FeS_2薄膜电学性能的影响第43-45页
   ·本章小结第45-46页
第5章 FeS_2薄膜中的载流子浓度模型第46-48页
第6章 结论第48-50页
参考文献第50-58页
攻读学位期间发表的学术论文第58-59页
致谢第59页

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