| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1．1 硅基发光材料研究的背景及其必要性 | 第7-8页 |
| 1．2 硅基发光材料研究进展 | 第8-13页 |
| 1．2．1 早期的硅基发光研究 | 第8页 |
| 1．2．2 多孔硅发光 | 第8-9页 |
| 1．2．3 纳米硅发光及其制备方法 | 第9-11页 |
| 1．2．4 硅发光机理 | 第11-13页 |
| 1．3 本论文主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 脉冲激光沉积法制备薄膜原理与装置 | 第14-18页 |
| 2．1 脉冲激光沉积法的原理 | 第14-15页 |
| 2．2 PLD方法制备薄膜的优点 | 第15页 |
| 2．3 PLD工艺参数对薄膜质量的影响 | 第15-16页 |
| 2．4 实验装置 | 第16-18页 |
| 2．4．1 实验装置图 | 第16-17页 |
| 2．4．2 装置的特点 | 第17-18页 |
| 第三章 薄膜的表征方法 | 第18-20页 |
| 3．1 原子力显微镜(AFM) | 第18页 |
| 3．2 X射线衍射(XRD) | 第18页 |
| 3．3 激光拉曼光谱(RANMAN ) | 第18-19页 |
| 3．4 光致荧光光谱 | 第19页 |
| 3．5 测试仪器 | 第19-20页 |
| 第四章 硅基富硅二氧化硅薄膜的制备与表征 | 第20-37页 |
| 4．1 样品的制备 | 第20-21页 |
| 4．2 XRD结果分析 | 第21-22页 |
| 4．3 AFM测试结果 | 第22-24页 |
| 4．4 RAMAN光谱分析 | 第24页 |
| 4．5 荧光光谱分析 | 第24-32页 |
| 4．5．1 样品的荧光光谱 | 第24-28页 |
| 4．5．2 退火温度对发光特性的影响 | 第28-29页 |
| 4．5．3 沉积时间对发光特性的影响 | 第29-30页 |
| 4．5．4 工作气压对发光特性的影响 | 第30-32页 |
| 4．5．5 工作气氛对发光特性的影响 | 第32页 |
| 4．6 样品成分分析 | 第32页 |
| 4．7 发光机理初步分析 | 第32-36页 |
| 4．7．1 红光的发光机理 | 第33-35页 |
| 4．7．2 蓝光(450nm-500nm)的发光机理 | 第35-36页 |
| 4．7．3 紫外光(325nm、350nm)的发光机理 | 第36页 |
| 4．8 结论 | 第36-37页 |
| 第五章 Si/SiO_2多层结构薄膜的制备与表征 | 第37-48页 |
| 5．1 样品的制备 | 第37-38页 |
| 5．2 晶相分析 | 第38页 |
| 5．3 表面形貌分析 | 第38-40页 |
| 5．4 荧光光谱测试结果 | 第40-45页 |
| 5．4．1 样品的荧光光谱 | 第40-42页 |
| 5．4．2 退火温度对发光特性的影响 | 第42-43页 |
| 5．4．3 层数对发光特性的影响 | 第43-44页 |
| 5．4．4 不同工作气压对发光特性的影响 | 第44-45页 |
| 5．5 发光机理初步分析 | 第45-46页 |
| 5．5．1 蓝光波段(450nm-490nm)的发光机理 | 第45页 |
| 5．5．2 紫外光(325nm，350nm)波段的发光机理 | 第45页 |
| 5．5．3 红光波段的发光机理 | 第45-46页 |
| 5．6 结论 | 第46-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
