摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
目录 | 第6-8页 |
第一章 文献综述 | 第8-40页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 纳米材料的特性 | 第9-12页 |
1.2.1 量子尺寸效应 | 第9-10页 |
1.2.2 量子隧道效应 | 第10页 |
1.2.3 库仑阻塞效应 | 第10-11页 |
1.2.4 小尺寸效应 | 第11页 |
1.2.5 表面效应 | 第11-12页 |
1.3 准一维纳米硅材料的研究现状 | 第12-40页 |
1.3.1 硅的基本性质 | 第13-16页 |
1.3.2 纳米硅线的制备 | 第16-33页 |
1.3.2.1 物理刻蚀法 | 第17-19页 |
1.3.2.2 激光烧蚀法 | 第19-21页 |
1.3.2.3 溶液生长法 | 第21-22页 |
1.3.2.4 热蒸发法 | 第22-27页 |
1.3.2.5 化学气相沉积法 | 第27-31页 |
1.3.2.6 纳米电化学法(溶液腐蚀法) | 第31-32页 |
1.3.2.7 其它方法 | 第32-33页 |
1.3.3 纳米硅线的性能及器件研究 | 第33-40页 |
1.3.3.1 Raman以及FTIR光谱测试研究 | 第33-36页 |
1.3.3.2 硅纳米线的应用研究 | 第36-40页 |
第二章 实验内容和测试仪器 | 第40-45页 |
2.1 实验内容 | 第40页 |
2.2 实验方法及原理 | 第40-42页 |
2.2.1 CVD以及NCA模板方法 | 第40-41页 |
2.2.2 热蒸发法 | 第41-42页 |
2.3 测试仪器及方法 | 第42-45页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第42-43页 |
2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第43页 |
2.3.3 场发射扫描电镜(FESEM) | 第43-44页 |
2.3.4 拉曼光谱(Raman) | 第44页 |
2.3.5 傅立叶红外光谱(FTIR) | 第44-45页 |
第三章 一维纳米硅材料的CVD法制备及表征 | 第45-67页 |
3.1 硅基上一维硅纳米材料的制备 | 第45-46页 |
3.1.1 引言 | 第45页 |
3.1.2 实验过程 | 第45-46页 |
3.1.2.1 硅片预处理 | 第45-46页 |
3.1.2.2 生长过程 | 第46页 |
3.1.2.3 表征 | 第46页 |
3.2 实验结果分析和讨论 | 第46-55页 |
3.2.1 硅基上取向硅微米棒的制备和表征 | 第46-48页 |
3.2.1.1 实验条件 | 第46-47页 |
3.2.1.2 结果和讨论 | 第47-48页 |
3.2.2 硅基上一维纳米硅材料的制备和表征 | 第48-53页 |
3.2.2.1 实验条件 | 第48页 |
3.2.2.2 H_2辅助生长的硅纳米线的制备 | 第48-52页 |
3.2.2.3 硅纳米链球的制备 | 第52-53页 |
3.2.3 硅微米棒和硅纳米线Raman光谱研究 | 第53-55页 |
3.3 阵列化硅纳米线的CVD法制备 | 第55-67页 |
3.3.1 引言 | 第55页 |
3.3.2 多孔氧化铝模板的制备 | 第55-62页 |
3.3.3 阵列化硅纳米线的CVD法制备 | 第62-67页 |
3.3.3.1 实验过程 | 第62-63页 |
3.3.3.2 结果和讨论 | 第63-66页 |
3.3.3.3 形成机理 | 第66-67页 |
第四章 一维纳米硅材料的热蒸发法制备及表征 | 第67-81页 |
4.1 引言 | 第67页 |
4.2 实验过程 | 第67-68页 |
4.2.1 硅片预处理 | 第67-68页 |
4.2.2 生长过程 | 第68页 |
4.2.3 表征 | 第68页 |
4.3 实验结果分析和讨论 | 第68-81页 |
4.3.1 真空下硅纳米枝状结构的制备 | 第68-70页 |
4.3.2 和金属催化剂相结合制备硅纳米线 | 第70-74页 |
4.3.2.1 镀Au硅衬底 | 第70-72页 |
4.3.2.2 镀Ni硅衬底 | 第72-73页 |
4.3.2.3 镀Ti硅衬底 | 第73-74页 |
4.3.3 硅纳米链球的热蒸发法制备 | 第74-77页 |
4.3.4 硅纳米螺旋的热蒸发法制备 | 第77-79页 |
4.3.5 非真空条件下氧化硅线的制备 | 第79-81页 |
第五章 结论 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-96页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第96-97页 |
致谢 | 第97页 |