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一维硅纳米材料的制备和表征

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-8页
第一章 文献综述第8-40页
 1.1 引言第8-9页
 1.2 纳米材料的特性第9-12页
  1.2.1 量子尺寸效应第9-10页
  1.2.2 量子隧道效应第10页
  1.2.3 库仑阻塞效应第10-11页
  1.2.4 小尺寸效应第11页
  1.2.5 表面效应第11-12页
 1.3 准一维纳米硅材料的研究现状第12-40页
  1.3.1 硅的基本性质第13-16页
  1.3.2 纳米硅线的制备第16-33页
   1.3.2.1 物理刻蚀法第17-19页
   1.3.2.2 激光烧蚀法第19-21页
   1.3.2.3 溶液生长法第21-22页
   1.3.2.4 热蒸发法第22-27页
   1.3.2.5 化学气相沉积法第27-31页
   1.3.2.6 纳米电化学法(溶液腐蚀法)第31-32页
   1.3.2.7 其它方法第32-33页
  1.3.3 纳米硅线的性能及器件研究第33-40页
   1.3.3.1 Raman以及FTIR光谱测试研究第33-36页
   1.3.3.2 硅纳米线的应用研究第36-40页
第二章 实验内容和测试仪器第40-45页
 2.1 实验内容第40页
 2.2 实验方法及原理第40-42页
  2.2.1 CVD以及NCA模板方法第40-41页
  2.2.2 热蒸发法第41-42页
 2.3 测试仪器及方法第42-45页
  2.3.1 X射线衍射(XRD)第42-43页
  2.3.2 透射电子显微镜(TEM)第43页
  2.3.3 场发射扫描电镜(FESEM)第43-44页
  2.3.4 拉曼光谱(Raman)第44页
  2.3.5 傅立叶红外光谱(FTIR)第44-45页
第三章 一维纳米硅材料的CVD法制备及表征第45-67页
 3.1 硅基上一维硅纳米材料的制备第45-46页
  3.1.1 引言第45页
  3.1.2 实验过程第45-46页
   3.1.2.1 硅片预处理第45-46页
   3.1.2.2 生长过程第46页
   3.1.2.3 表征第46页
 3.2 实验结果分析和讨论第46-55页
  3.2.1 硅基上取向硅微米棒的制备和表征第46-48页
   3.2.1.1 实验条件第46-47页
   3.2.1.2 结果和讨论第47-48页
  3.2.2 硅基上一维纳米硅材料的制备和表征第48-53页
   3.2.2.1 实验条件第48页
   3.2.2.2 H_2辅助生长的硅纳米线的制备第48-52页
   3.2.2.3 硅纳米链球的制备第52-53页
  3.2.3 硅微米棒和硅纳米线Raman光谱研究第53-55页
 3.3 阵列化硅纳米线的CVD法制备第55-67页
  3.3.1 引言第55页
  3.3.2 多孔氧化铝模板的制备第55-62页
  3.3.3 阵列化硅纳米线的CVD法制备第62-67页
   3.3.3.1 实验过程第62-63页
   3.3.3.2 结果和讨论第63-66页
   3.3.3.3 形成机理第66-67页
第四章 一维纳米硅材料的热蒸发法制备及表征第67-81页
 4.1 引言第67页
 4.2 实验过程第67-68页
  4.2.1 硅片预处理第67-68页
  4.2.2 生长过程第68页
  4.2.3 表征第68页
 4.3 实验结果分析和讨论第68-81页
  4.3.1 真空下硅纳米枝状结构的制备第68-70页
  4.3.2 和金属催化剂相结合制备硅纳米线第70-74页
   4.3.2.1 镀Au硅衬底第70-72页
   4.3.2.2 镀Ni硅衬底第72-73页
   4.3.2.3 镀Ti硅衬底第73-74页
  4.3.3 硅纳米链球的热蒸发法制备第74-77页
  4.3.4 硅纳米螺旋的热蒸发法制备第77-79页
  4.3.5 非真空条件下氧化硅线的制备第79-81页
第五章 结论第81-83页
参考文献第83-96页
攻读硕士期间发表的论文第96-97页
致谢第97页

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