VLSI工艺中铝互连与蚀刻的研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
第二章 铝合金及其性质 | 第14-44页 |
·VLSI 工艺中对铝膜性质的要求 | 第15-18页 |
·溅射原理 | 第18-23页 |
·Varian 3290 介绍 | 第23-29页 |
·常见工艺参数对铝膜质量的影响 | 第29-43页 |
·氩气压力与溅射功率对铝膜的影响 | 第30-33页 |
·加热温度对铝膜质量的影响 | 第33-38页 |
·溅射时间与溅射时硅片温度的关系 | 第38-40页 |
·温度对台阶覆盖的影响 | 第40-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
第三章 蚀刻技术 | 第44-68页 |
·湿法蚀刻 | 第45-47页 |
·概述 | 第45-46页 |
·铝的湿法蚀刻 | 第46-47页 |
·干法蚀刻原理、参数、设备简介 | 第47-55页 |
·蚀刻气体及原理 | 第47-48页 |
·蚀刻参数介绍 | 第48-50页 |
·8330 介绍 | 第50-52页 |
·终点侦测系统 | 第52-55页 |
·常见工艺参数对干法蚀刻效果的影响 | 第55-66页 |
·铝的蚀刻速率及均匀性影响因素分析 | 第57-60页 |
·氧化层的蚀刻速率及均匀性影响因素分析 | 第60-62页 |
·光刻胶的蚀刻速率及均匀性影响因素分析 | 第62-64页 |
·选择比影响因素分析 | 第64-66页 |
·铝干法蚀刻的后腐蚀现象 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第四章 结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
致谢 | 第72页 |