| 第一章 绪论 | 第1-30页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·气敏薄膜的研究现状 | 第12-16页 |
| ·主要的气敏薄膜制备技术 | 第12-13页 |
| ·主要的气敏薄膜材料及其研究进展 | 第13-16页 |
| ·影响薄膜型半导体气敏器件性能的因素及相应的改善方法 | 第16-24页 |
| ·晶粒尺寸对气敏性能的影响及相应的改善途径 | 第16-19页 |
| ·改进制备薄膜的工艺以获得超细颗粒的气敏薄膜 | 第18-19页 |
| ·通过添加合适的添加物控制晶粒的大小 | 第19页 |
| ·膜厚对气敏特性的影响 | 第19-20页 |
| ·通过掺杂提高半导体薄膜气敏器件的性能 | 第20-23页 |
| ·掺杂的方法 | 第21页 |
| ·掺入贵金属来提高气敏薄膜的性能 | 第21-22页 |
| ·通过掺入别的金属来提高半导体气敏薄膜的性能 | 第22页 |
| ·掺入氧化物也是一种常见的方法 | 第22-23页 |
| ·薄膜的制备工艺参数对气敏性能的影响 | 第23页 |
| ·多层薄膜气敏器件 | 第23-24页 |
| ·半导体金属氧化物薄膜型气敏传感器的结构 | 第24-28页 |
| ·薄膜型气敏材料的研究现状及存在的问题 | 第28页 |
| ·薄膜型气敏传感器未来的研究进展 | 第28-29页 |
| ·本论文研究的目的、意义、及主要内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验研究的原理和方法 | 第30-41页 |
| ·薄膜型气敏材料的制备技术 | 第30-34页 |
| ·化学气相沉积法(简称CVD)法 | 第30-31页 |
| ·物理气相沉积法(简称PVD)法 | 第31页 |
| ·液相法 | 第31-33页 |
| ·本论文选择的制膜工艺 | 第33-34页 |
| ·薄膜型气敏材料的表征技术 | 第34页 |
| ·本论文中薄膜型气敏传感器的器件结构 | 第34-35页 |
| ·薄膜型气敏传感器的制备工艺流程 | 第35-36页 |
| ·气敏传感器的主要特性参数 | 第36-38页 |
| ·气敏传感器的测试原理 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 γ-Al2O3基薄膜型气敏材料的制备工艺研究 | 第41-68页 |
| ·溶胶-凝胶法制备γ-Al2O3粉体的制备工艺研究 | 第41-45页 |
| ·配制AlOOH溶胶的工艺参数的研究 | 第41-43页 |
| ·AlOOH干凝胶及煅烧后粉体的XRD分析表征 | 第43-45页 |
| ·纯γ-Al2O3薄膜的分析与表征 | 第45-47页 |
| ·γ-Al2O3薄膜的表面成分分析 | 第45-47页 |
| ·γ-Al2O3薄膜的表面形貌分析 | 第47页 |
| ·掺SnO2和Pd的γ-Al2O3薄膜的制备工艺研究 | 第47-54页 |
| ·实验方案的设计 | 第47-50页 |
| ·配制掺Sn(OH)4的AlOOH溶胶的工艺参数的研究 | 第50-51页 |
| ·(SnO2,Pd)γ-Al2O3薄膜的分析与表征 | 第51-54页 |
| ·(SnO2,Pd)γ-Al2O3薄膜的表面成分分析 | 第51-54页 |
| ·(SnO2,Pd)γ-Al2O3薄膜的表面形貌分析 | 第54页 |
| ·掺In2O3和Pd的γ-Al2O3薄膜的制备工艺研究 | 第54-57页 |
| ·配制掺In(OH)3的AlOOH溶胶的工艺参数的研究 | 第54-55页 |
| ·(In2O3,Pd)γ-Al2O3薄膜的分析与表征 | 第55-57页 |
| ·(In2O3,Pd)γ-Al2O3薄膜的表面成分分析 | 第55-57页 |
| ·(In2O3,Pd)γ-Al2O3薄膜的表面形貌分析 | 第57页 |
| ·其他薄膜的制备工艺研究 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-68页 |
| 第四章 γ-Al2O3基薄膜型气敏传感器的基本气敏特性研究 | 第68-106页 |
| ·(Pd)γ-Al2O3气敏薄膜元件的气敏特性的研究 | 第68-75页 |
| ·对氢气气敏特性的研究 | 第68-70页 |
| ·对酒精气敏特性的研究 | 第70-71页 |
| ·对丙酮气敏特性的研究 | 第71-72页 |
| ·对甲烷气敏特性的研究 | 第72-73页 |
| ·相同浓度下元件对四种气体工作温度和灵敏度的关系 | 第73页 |
| ·同一工作温度下通入气体的体积和灵敏度的关系 | 第73-74页 |
| ·元件的稳定性:初始电阻随时间的变化关系 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75页 |
| ·(In2O3,Pd)γ-Al2O3气敏薄膜元件的气敏特性的研究 | 第75-83页 |
| ·对氢气气敏特性的研究 | 第75-77页 |
| ·对酒精气敏特性的研究 | 第77-78页 |
| ·对甲烷气敏特性的研究 | 第78-79页 |
| ·对丙酮气敏特性的研究 | 第79-80页 |
| ·相同浓度下元件对四种气体工作温度和灵敏度的关系 | 第80-81页 |
| ·同一工作温度下通入气体的体积和灵敏度的关系 | 第81-82页 |
| ·元件的稳定性:初始电阻随时间的变化关系 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83页 |
| ·(SnO2,Pd)γ-Al2O3薄膜的气敏特性的研究 | 第83-91页 |
| ·对氢气气敏特性的研究 | 第84-85页 |
| ·对酒精气敏特性的研究 | 第85-86页 |
| ·对甲烷气敏特性的研究 | 第86-87页 |
| ·对丙酮气敏特性的研究 | 第87-88页 |
| ·相同浓度下元件对四种气体工作温度和灵敏度的关系 | 第88-89页 |
| ·同一工作温度下通入气体的体积和灵敏度的关系 | 第89页 |
| ·元件的稳定性:初始电阻随时间的变化关系 | 第89-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| ·(SnO2,MgO,Pd)γ-Al2O3薄膜的气敏特性的研究 | 第91-97页 |
| ·对氢气气敏特性的研究 | 第91-92页 |
| ·对酒精气敏特性的研究 | 第92-93页 |
| ·对甲烷气敏特性的研究 | 第93-94页 |
| ·对丙酮气敏特性的研究 | 第94-95页 |
| ·相同浓度下元件对四种气体工作温度和灵敏度的关系 | 第95页 |
| ·同一工作温度下通入气体的体积和灵敏度的关系 | 第95-96页 |
| ·元件的稳定性:初始电阻随时间的变化关系 | 第96-97页 |
| ·小结 | 第97页 |
| ·(SnO2,MgO,ZnO,Pd)γ-Al2O3薄膜的气敏特性的研究 | 第97-104页 |
| ·对氢气气敏特性的研究 | 第97-98页 |
| ·对酒精气敏特性的研究 | 第98-100页 |
| ·对甲烷气敏特性的研究 | 第100-101页 |
| ·对丙酮气敏特性的研究 | 第101-102页 |
| ·相同浓度下元件对四种气体工作温度和灵敏度的关系 | 第102页 |
| ·同一工作温度下通入气体的体积和灵敏度的关系 | 第102-103页 |
| ·元件的稳定性:初始电阻随时间的变化关系 | 第103-104页 |
| ·小结 | 第104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第五章 论文的主要结论与后续研究工作的建议 | 第106-110页 |
| ·论文的主要结论 | 第106-108页 |
| ·本论文的创新点 | 第108页 |
| ·进一步研究的建议 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-114页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第114-115页 |
| 声明 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
