CO气敏材料的制备及气敏性质与催化性质的研究
第一章 文献综述 | 第1-30页 |
·前言 | 第12页 |
·CO气敏传感器的研究动态与进展 | 第12-16页 |
·金属氧化物半导体型CO传感器 | 第13-14页 |
·电化学固体电解质型CO传感器 | 第14-15页 |
·电化学固态高分子电解质型CO传感器 | 第15-16页 |
·CuO气敏性质的进展 | 第16-20页 |
·CuO催化性质的研究进展 | 第20-22页 |
·改善气敏传感器的主要方法 | 第22-24页 |
·加入添加剂 | 第22-23页 |
·添加贵金属 | 第22页 |
·添加金属氧化物或金属盐 | 第22-23页 |
·添加稀土元素 | 第23页 |
·控制材料的微细结构(改进制备方法) | 第23页 |
·控制元件的工作温度 | 第23页 |
·选择合适的焙烧温度 | 第23-24页 |
·纳米氧化铜制备技术研究进展 | 第24-28页 |
·纳米氧化铜的制备及影响因素 | 第24-27页 |
·以Cu2+为原料的水解沉淀法 | 第24-25页 |
·化学沉淀法 | 第25页 |
·喷雾热解法 | 第25-26页 |
·溶胶-凝胶法 | 第26页 |
·固相合成法 | 第26页 |
·络合沉淀法 | 第26-27页 |
·电孤等离子体法 | 第27页 |
·纳米氧化铜的防团聚方法 | 第27-28页 |
·在制备过程中的抑制方法 | 第27页 |
·在干燥过程中的抑制方法 | 第27-28页 |
·氧化铜薄膜的制备 | 第28页 |
·研究目的、意义和方法 | 第28-30页 |
第二章 气敏元件的制备及实验装置的建立 | 第30-37页 |
·气敏元件的制备 | 第30-33页 |
·旁热式敏感元件的结构及制备流程 | 第30-31页 |
·旁热式气体传感器的工作原理及测试原理 | 第31页 |
·旁热式气体传感器的工作原理 | 第31页 |
·旁热式气体传感器的测试原理 | 第31页 |
·旁热式气体传感器的气敏性质测试流程 | 第31-32页 |
·制备元件 | 第31页 |
·烘干 | 第31页 |
·焙烧 | 第31-32页 |
·敏感元件热稳定阶段 | 第32页 |
·灵敏度测量 | 第32页 |
·气敏元件的主要技术参数 | 第32-33页 |
·灵敏度 | 第32页 |
·响应时间 | 第32页 |
·恢复时间 | 第32-33页 |
·选择性 | 第33页 |
·实验测量流程 | 第33-37页 |
·实验装置图 | 第33-34页 |
·实验装置的标定 | 第34-36页 |
·胶粘剂的选择 | 第36-37页 |
第三章 纳米CuO的研制 | 第37-52页 |
·空气鼓泡水解沉淀法 | 第37-49页 |
·实验反应原理 | 第38页 |
·实验装置 | 第38-39页 |
·实验流程图 | 第39页 |
·主要影响因素 | 第39-47页 |
·碳酸钠浓度对纳米粒子的影响 | 第39-42页 |
·阻聚剂浓度的影响 | 第42-43页 |
·反应温度的影响 | 第43-44页 |
·沉淀剂的影响 | 第44-45页 |
·pH值对相转化率的影响 | 第45-46页 |
·氧化铜的收率 | 第46-47页 |
·氧化铜粒子的表征 | 第47-49页 |
·溶胶-凝胶法制备氧化铜 | 第49-52页 |
·实验原理 | 第49-50页 |
·实验装置图 | 第50页 |
·实验流程 | 第50-51页 |
·纳米氧化铜的表征 | 第51-52页 |
第四章 纳米氧化铜的气敏性质与催化性质的研究 | 第52-66页 |
·CO气敏性质的研究 | 第52-59页 |
·焙烧温度对气敏性质的影响 | 第53-54页 |
·不同的制备方法对灵敏度的影响 | 第54-55页 |
·载体对气敏性质的影响 | 第55-56页 |
·铜负载量对灵敏度的影响 | 第56-57页 |
·气敏元件的响应时间和恢复时间 | 第57-58页 |
·气敏元件的选择性 | 第58-59页 |
·氧化铜的催化性质的研究 | 第59-66页 |
·氧化铜加入氧化铈时对TPD谱图的影响 | 第60-61页 |
·从TPD谱线求取动力学参数 | 第61-63页 |
·氧化铜的气敏机理的探讨 | 第63-65页 |
·氧化铜的气敏性质与催化性质的关联 | 第65-66页 |
第五章 结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-74页 |
致谢 | 第74-76页 |
攻读学位期间发表的论文目录 | 第76页 |