| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·负载型贵金属催化剂的研究 | 第11-15页 |
| ·基本原理 | 第11页 |
| ·影响负载贵金属催化剂光催化活性的因素 | 第11-15页 |
| ·沉积方法的影响 | 第11-12页 |
| ·贵金属性质的影响 | 第12页 |
| ·贵金属沉积量的影响 | 第12-13页 |
| ·贵金属的价态、粒径大小等的影响 | 第13页 |
| ·载体性质的影响 | 第13-14页 |
| ·反应物性质的影响 | 第14页 |
| ·金属载体强相互作用的影响 | 第14-15页 |
| ·金属-载体强相互作用的研究 | 第15-27页 |
| ·金属-载体强相互作用的提出 | 第15-16页 |
| ·金属-载体强相互作用的机理研究 | 第16-23页 |
| ·金属-载体强相互作用对多相催化反应活性的影响 | 第23-26页 |
| ·选取C_3H_6 作为评价体系的原因 | 第26-27页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第二章 惰性 N_2 气氛下 Pt/TiO_2 强相互作用及其对 C_3H_6 光催化氧化反应的影响 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-38页 |
| ·Pt/TiO_2 光催化剂的制备 | 第36-37页 |
| ·光催化活性评价 | 第37页 |
| ·Ar~+溅射的Pt/TiO_2/ITO 样品的制备 | 第37-38页 |
| ·表征 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-43页 |
| ·C_3H_6 光催化活性评价结果 | 第38页 |
| ·催化剂失活原因分析 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 还原性 H_2气氛下 Pt/TiO_2强相互作用及对C_3H_6光催化性能的影响 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验部分 | 第46-48页 |
| ·Pt/TiO_2/ITO 薄膜制备 | 第46-47页 |
| （1） TiO_2/ITO 薄膜的制备 | 第46页 |
| （2） Pt/TiO_2/ITO 薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·Pt/TiO_2粉末催化剂的制备 | 第47页 |
| ·光催化活性评价 | 第47页 |
| ·表征 | 第47-48页 |
| ·结果和讨论 | 第48-56页 |
| ·C_3H_6 光催化活性评价结果 | 第48页 |
| ·C_3H_6 光催化活性评价结果原因分析 | 第48-56页 |
| ·Pt/TiO_2 的比表面分析 | 第48-49页 |
| ·Pt/TiO_2 的XRD 分析 | 第49-50页 |
| ·氢气气氛下Pt-TiO_2 强相互作用的研究 | 第50-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 不同气氛下 Pt-TiO_2强相互作用的比较研究 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·实验部分 | 第60-62页 |
| ·氧化性（空气）气氛下Pt/TiO_2/ITO 系列薄膜的制备 | 第60页 |
| ·惰性（氮气）气氛下Pt/TiO_2/ITO 系列薄膜的制备 | 第60-61页 |
| ·还原性（氢气）气氛下Pt/TiO_2/ITO 系列薄膜的制备 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-67页 |
| ·不同气氛处理后Pt 4f 谱随溅射时间变化 | 第62-63页 |
| ·不同气氛高温处理样品中溅射后Pt 的存在形式 | 第63-64页 |
| ·不同气氛高温处理后样品中Pt 含量与溅射时间关系 | 第64-65页 |
| ·不同气氛处理后样品的光催化活性比较 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 纳米管钛酸 CO 处理产物的结构及光催化活性 | 第69-80页 |
| ·前言 | 第69-70页 |
| ·实验部分 | 第70-71页 |
| ·样品的制备 | 第70-71页 |
| ·表征 | 第71页 |
| ·光催化活性评价 | 第71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-76页 |
| ·光催化活性 | 第71-72页 |
| ·可见光照无活性的原因 | 第72-74页 |
| ·紫外光照活性降低的原因 | 第74-76页 |
| ·结论 | 第76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 结论与展望 | 第80-81页 |
| 硕士期间科研成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
