| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GAINNAS 半导体激光器的发展 | 第10-13页 |
| ·半导体激光器的诞生和发展 | 第10-11页 |
| ·GaInNAs 激光器的发展历史与研究现状 | 第11-13页 |
| ·GAINNAS 半导体激光材料的特性概述 | 第13-15页 |
| ·优良的温度稳定性 | 第13-14页 |
| ·波长覆盖范围广 | 第14页 |
| ·能与多种衬底匹配生长 | 第14-15页 |
| ·GAINNAS 材料的应用前景 | 第15页 |
| ·高特征温度1.3μm 和1.55μm 长波长半导体激光器 | 第15页 |
| ·长波长垂直腔面发射激光器 | 第15页 |
| ·本论文研究的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 1.31ΜMGAINNAS 应变量子阱材料特性研究 | 第17-35页 |
| ·量子阱半导体激光器的主要特性分析 | 第17-24页 |
| ·超晶格量子阱材料概述 | 第17-18页 |
| ·量子阱激光器的增益特性 | 第18页 |
| ·量子阱激光器的阈值特性 | 第18-20页 |
| ·量子阱激光器的输出特性 | 第20-24页 |
| ·应变对量子阱材料特性的影响 | 第24-28页 |
| ·超晶格量子阱中应变的引入 | 第24-25页 |
| ·应变对能带结构的影响 | 第25-26页 |
| ·压应变引起的能带结构变化对材料性能的影响 | 第26-28页 |
| ·GAINNAS/GAAS 应变量子阱材料的特性 | 第28-35页 |
| ·N 的并入对GaAs 材料产生的巨大能带弯曲 | 第28-30页 |
| ·GaInNAs/GaAs 应变量子阱材料的光增益特性 | 第30-32页 |
| ·GaInNAs/GaAs 应变量子阱激光材料的输出波长 | 第32-33页 |
| ·GaInNAs/GaAs 应变量子阱材料的温度特性 | 第33-34页 |
| ·GaInNAs 材料的晶格常数 | 第34-35页 |
| 第三章 1.31ΜM 应变量子阱GAINNAS 激光器的结构设计 | 第35-42页 |
| ·激光器芯片的材料结构 | 第35-36页 |
| ·谐振腔结构 | 第36-40页 |
| ·腔长分析 | 第36-37页 |
| ·横向波导 | 第37-39页 |
| ·激光器的芯片尺寸 | 第39-40页 |
| ·激光器的散热系统 | 第40-41页 |
| ·激光器的完整装配结构 | 第41-42页 |
| 第四章 1.31ΜM GAINNAS 应变量子阱激光器的制作 | 第42-51页 |
| ·GAINNAS 应变量子阱材料的生长 | 第42-45页 |
| ·分子束外延（MBE）技术简介 | 第42-43页 |
| ·应变量子阱临界厚度的计算 | 第43-44页 |
| ·GaInNAs 材料的制备难点 | 第44页 |
| ·MBE 系统生长高In 组分GaInNAs 单量子阱材料的过程 | 第44-45页 |
| ·脊形波导的制作 | 第45-46页 |
| ·脉冲阳极氧化工艺制备绝缘膜 | 第46-48页 |
| ·欧姆接触层的制备工艺 | 第48-49页 |
| ·欧姆接触层制备要求 | 第48页 |
| ·欧姆接触层的材料选择 | 第48-49页 |
| ·装片与内引线键合 | 第49-51页 |
| ·芯片的装片烧结 | 第49页 |
| ·内引线键合 | 第49-51页 |
| 第五章 1.31ΜM GAINNAS 应变量子阱激光器的特性评价 | 第51-55页 |
| ·GAINNAS 应变单量子阱材料的特性测试 | 第51-52页 |
| ·1.31ΜM GAINNAS 应变单量子阱激光器的特性 | 第52-53页 |
| ·脉冲阳极氧化对激光器芯片结构的影响 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
