| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 D-T/D-D中子产额伴随粒子法测量 | 第10-33页 |
| §1.1:兰州大学D-T中子发生器中子产额伴随粒子法测量 | 第10-25页 |
| ·测量系统及数据处理方法 | 第10-25页 |
| 1、 测量装置 | 第10-11页 |
| 2、 测量原理 | 第11-12页 |
| 3、 各向异性因子A_α的计算 | 第12-19页 |
| 4、 伴随粒子系统的实验测试 | 第19-21页 |
| 5、 各种干扰信号对测量精度的影响分析 | 第21-25页 |
| §1.2 D-D中子产额伴随粒子法测量 | 第25-33页 |
| ·测量系统及方法 | 第25-26页 |
| 1、 测量原理 | 第25-26页 |
| 2、 测量装置 | 第26页 |
| ·数据处理方法 | 第26-31页 |
| 1、 各向异性因子 | 第26-31页 |
| 2) 反应截面 | 第28-31页 |
| 2、 各种干扰信号对测量精度的影响分析 | 第31页 |
| ·D-D伴随粒子测量系统初步调试 | 第31-33页 |
| 第二章 D-T中子产额监测裂变电离室测量系统初步研究 | 第33-41页 |
| §2.1 测量系统及方法 | 第33-38页 |
| 1、 裂变电离室结构 | 第33-34页 |
| 2、 裂变电离室的测量原理 | 第34-38页 |
| 1) 工作原理 | 第34-37页 |
| 2) 快中子产额测量原理 | 第37页 |
| 3) 裂变室的刻度 | 第37-38页 |
| §2.2 裂变电离室测量系统的初步调试 | 第38-41页 |
| 第三章 D-T中子发生器中子产额监测的反冲质子望远镜模拟研究 | 第41-51页 |
| §3.1 14MeV单能中子在聚乙烯膜产生的反冲质子产额、角分布和能谱 | 第41-47页 |
| ·测量原理 | 第41-42页 |
| ·模拟方法 | 第42-43页 |
| ·模拟结果 | 第43-46页 |
| ·最佳条件确定 | 第46-47页 |
| §3.2 反冲质子望远镜系统的蒙特卡罗模拟 | 第47-50页 |
| ·厚氚钛靶D-T反应中子源模型 | 第47-48页 |
| ·反冲质子望远镜系统的模拟设计及系统探测效率 | 第48-50页 |
| §3.3 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 发表论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录一 MCNPX模拟14MeV中子穿过聚乙烯膜时反冲质子角分布 #ⅰ | 第56-57页 |
| 附录二 MCNPX模拟14MeV中子穿过聚乙烯膜时反冲质子的能谱 #ⅱ | 第57-58页 |
| 附录三 MCNPX模拟D-T等效源的反冲质子能谱 #ⅲ | 第58-60页 |
| 附录四 D-D反应伴随粒子测量的各向异性因子 #ⅴ | 第60页 |
