首页--数理科学和化学论文--晶体学论文--晶体生长工艺论文

提拉法生长硅酸镓镧晶体过程的数值模拟分析

摘要第1-12页
ABSTRACT第12-14页
第一章 绪论第14-32页
   ·引言第14-16页
   ·硅酸镓镧单晶研究背景第16-21页
     ·晶体结构及物理性质第17-20页
     ·晶体生长第20页
     ·LGS晶体当前的研究方向第20-21页
   ·提拉法晶体生长简介第21-23页
     ·提拉法晶体生长步骤第21-22页
     ·提拉法晶体生长本质第22-23页
   ·国内外提拉法晶体生长数值模拟研究现状第23-25页
   ·数值模拟今后的发展方向第25-27页
   ·本论文的研究工作第27-28页
 参考文献第28-32页
第二章 硅酸镓镧晶体生长第32-42页
   ·引言第32页
   ·Cz法硅酸镓镧单晶生长工艺过程第32-36页
   ·晶体生长相关问题及相应的措施第36-40页
   ·本章小结第40页
 参考文献第40-42页
第三章 数值分析与研究方法第42-60页
   ·引言第42-43页
   ·影响生长晶体热流场的因素第43-44页
   ·二维轴对称模型及准稳态系统分析第44页
   ·方程的离散化及有限元分析的步骤第44-46页
   ·晶体生长的物理模型第46-49页
     ·热场物理模型第47-48页
     ·流场物理模型第48-49页
   ·CGSim软件简介及操作流程第49-50页
   ·炉体结构几何图形的建立第50-51页
   ·物性参数第51-53页
   ·边界条件的设定第53-55页
   ·控制参量及迭代步长第55-57页
   ·模拟项目第57-58页
   ·本章小结第58-59页
 参考文献第59-60页
第四章 数值模拟结果第60-78页
   ·引言第60-61页
   ·网格测试第61页
   ·各生长阶段的温场模拟分析第61-67页
     ·下籽晶时温场分布情况第62-64页
     ·放肩阶段的温场分布第64-65页
     ·转等径阶段的温场分布第65-67页
   ·不同长晶阶段的热流场分析第67-70页
   ·旋转对温场的影响第70-75页
     ·晶体旋转对温场的影响第70-74页
     ·坩埚旋转对温场的影响第74-75页
   ·后热器对晶体中温度梯度的影响第75-76页
   ·肩部形状对温场的影响第76-77页
 参考文献第77-78页
第五章 结论及有待进一步开展的工作第78-81页
   ·主要结论第78-79页
   ·本论文主要创新点第79页
   ·有待进一步开展的工作第79-81页
攻读硕士学位期间发表的学术论文目录第81页
攻读硕士学位期间所获奖励第81-82页
致谢第82-83页
学位论文评阅及答辩情况表第83页

论文共83页,点击 下载论文
上一篇:反相乳液法制备水溶性阳离子共聚物研究
下一篇:离子液体中胶束以及溶致液晶的研究