摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章绪论 | 第11-22页 |
1.1前言 | 第11-12页 |
1.2ZnO压敏陶瓷的微观结构 | 第12-14页 |
1.2.1ZnO晶粒 | 第12-13页 |
1.2.2晶界层 | 第13页 |
1.2.3尖晶石相 | 第13-14页 |
1.3ZnO压敏陶瓷的导电机理 | 第14-17页 |
1.3.1ZnO压敏陶瓷的U-I特性 | 第15-16页 |
1.3.2预击穿区的导电机理 | 第16-17页 |
1.3.3击穿区的导电机理 | 第17页 |
1.3.4回升区的导电机理 | 第17页 |
1.4ZnO压敏陶瓷的老化机理 | 第17-18页 |
1.5ZnO压敏陶瓷的电性能参数 | 第18-20页 |
1.5.1压敏电压和电压梯度 | 第18页 |
1.5.2漏电流 | 第18-19页 |
1.5.3非线性系数 | 第19页 |
1.5.4相对介电常数 | 第19页 |
1.5.5通流容量和能量耐量 | 第19-20页 |
1.5.6残压与残压比 | 第20页 |
1.6添加剂的作用 | 第20-21页 |
1.7本论文的选题及研究意义 | 第21-22页 |
第二章实验方案和表征技术 | 第22-28页 |
2.1实验原料 | 第22页 |
2.2实验主要仪器设备 | 第22-23页 |
2.3样品制备工艺流程 | 第23-25页 |
2.4样品测试和表征 | 第25-28页 |
2.4.1电性能测试 | 第25页 |
2.4.28/20μs模拟雷击冲击实验 | 第25-26页 |
2.4.3介电常数和损耗角正切测试 | 第26页 |
2.4.4C-V法势垒测试 | 第26-27页 |
2.4.5X射线衍射分析(XRD) | 第27页 |
2.4.6显微结构分析(SEM)与X射线能谱分析(EDS) | 第27页 |
2.4.7热分析 | 第27-28页 |
第三章C3N4掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响 | 第28-45页 |
3.1引言 | 第28-29页 |
3.2实验设计和样品制备 | 第29页 |
3.3实验结果和分析 | 第29-43页 |
3.3.1物相分析与热分析 | 第29-32页 |
3.3.2微观结构分析 | 第32-34页 |
3.3.3C-V势垒测试 | 第34-35页 |
3.3.4介电特性 | 第35-37页 |
3.3.5小电流特性 | 第37-38页 |
3.3.6大电流特性 | 第38-43页 |
3.4本章小结 | 第43-45页 |
第四章BN掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响 | 第45-54页 |
4.1引言 | 第45-47页 |
4.2实验设计和样品制备 | 第47页 |
4.3实验结果和分析 | 第47-52页 |
4.3.1热分析 | 第47-48页 |
4.3.2物相分析 | 第48-49页 |
4.3.3形貌分析 | 第49-50页 |
4.3.4小电流特性 | 第50-51页 |
4.3.5大电流特性 | 第51-52页 |
4.4本章小结 | 第52-54页 |
全文总结 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
附件 | 第63页 |