| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·SiC陶瓷与金属连接的研究现状 | 第11-15页 |
| ·钎焊 | 第11-12页 |
| ·扩散连接 | 第12-13页 |
| ·自蔓延高温合成连接 | 第13-14页 |
| ·部分瞬间液相连接 | 第14页 |
| ·热压反应连接 | 第14页 |
| ·摩擦连接 | 第14-15页 |
| ·放电等离子加工技术研究现状 | 第15-17页 |
| ·放电等离子加工技术简介 | 第15-16页 |
| ·放电等离子加工技术的应用 | 第16-17页 |
| ·放电等离子技术在烧结方面的应用 | 第16页 |
| ·放电等离子技术在连接方面的应用 | 第16-17页 |
| ·本文的研究工作 | 第17-19页 |
| ·研究目的及意义 | 第17页 |
| ·研究内容 | 第17页 |
| ·拟解决的关键问题 | 第17-18页 |
| ·拟采取的研究方法和技术路线 | 第18-19页 |
| 第二章 实验材料及方法 | 第19-23页 |
| ·实验 | 第19页 |
| ·实验材料 | 第19页 |
| ·实验设备 | 第19-21页 |
| ·性能测试内容 | 第21-23页 |
| ·显微结构及微区元素分析 | 第21页 |
| ·XRD物相分析 | 第21页 |
| ·显微硬度分析 | 第21-22页 |
| ·抗弯强度 | 第22页 |
| ·差热分析 | 第22页 |
| ·电子探针X射线显微分析 | 第22-23页 |
| 第三章 SiC陶瓷/金属W的连接研究 | 第23-38页 |
| ·简介 | 第23页 |
| ·实验方案及方法 | 第23-25页 |
| ·实验方案 | 第23-24页 |
| ·实验条件 | 第24-25页 |
| ·实验过程及结果分析 | 第25-31页 |
| ·不同温度对连接体显微结构的影响 | 第25-26页 |
| ·SiC/W连接体的能谱分析 | 第26-28页 |
| ·SiC/W连接体的XRD分析 | 第28-29页 |
| ·连接失效分析 | 第29-31页 |
| ·SiC陶瓷与金属W放电等离子连接时的温度-应力场模拟 | 第31-37页 |
| ·温度场模拟过程 | 第31-32页 |
| ·模拟结果及分析 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 SiC陶瓷/中间层/金属W的连接 | 第38-58页 |
| ·中间层物料的选择 | 第38页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·中间层物料的研究 | 第39-46页 |
| ·中间层物料的化学反应分析 | 第39-40页 |
| ·中间层物料的XRD分析 | 第40-44页 |
| ·中间层物料的显微结构及能谱分析 | 第44-46页 |
| ·实验结果及分析 | 第46-56页 |
| ·不同含量中间层物料对界面结合的影响 | 第46-47页 |
| ·不同温度对界面结合的影响 | 第47-49页 |
| ·界面孔洞的分析 | 第49-50页 |
| ·不同保温时间对界面结合的影响 | 第50-51页 |
| ·不同升温速率对界面结合的影响 | 第51-52页 |
| ·显微硬度分析 | 第52-53页 |
| ·抗弯强度分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附件 | 第65-67页 |