| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-35页 |
| ·能源发展状况 | 第14-18页 |
| ·世界能源供求发展状况 | 第14-16页 |
| ·我国能源供求发展状况 | 第16-17页 |
| ·可再生能源发展状况 | 第17-18页 |
| ·多晶硅材料的生产工艺 | 第18-22页 |
| ·多晶硅的传统生产工艺 | 第18-19页 |
| ·多晶硅生产新工艺研究 | 第19-22页 |
| ·太阳能级多晶硅材料对杂质及其含量的要求 | 第22-25页 |
| ·硅中金属杂质对其性能的影响 | 第22-23页 |
| ·对太阳能级多晶硅材料中金属杂质及其含量的要求 | 第23-25页 |
| ·定向凝固技术的发展及其在多晶硅生产中的应用 | 第25-31页 |
| ·定向凝固技术的发展 | 第25-27页 |
| ·利用定向凝固去除多晶硅中的金属杂质 | 第27-29页 |
| ·定向凝固铸造多晶硅锭中的晶体生长和缺陷研究 | 第29-31页 |
| ·课题提出的依据、研究目的和内容 | 第31-35页 |
| ·选题依据和达到的目标 | 第31-33页 |
| ·研究内容和技术路线 | 第33-35页 |
| 第二章 定向凝固和区域熔炼硅中金属杂质分凝的理论分析 | 第35-58页 |
| ·硅中各金属杂质的固溶度和存在形态分析 | 第35-38页 |
| ·定向凝固去除金属杂质的原理和杂质分凝理论计算 | 第38-44页 |
| ·金属杂质分凝去除的原理 | 第38-40页 |
| ·金属杂质分凝理论计算 | 第40-44页 |
| ·部分参数对主要金属杂质分布的影响 | 第44-53页 |
| ·扩散层厚度对杂质分布的影响 | 第44-47页 |
| ·扩散系数对杂质分布的影响 | 第47-50页 |
| ·凝固速率对杂质分布的影响 | 第50-53页 |
| ·区域熔炼杂质在硅中分布理论计算分析 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 真空定向凝固精炼去除硅中金属杂质实验研究 | 第58-91页 |
| ·实验原料 | 第58-60页 |
| ·工业硅 | 第58-59页 |
| ·酸浸粉料 | 第59页 |
| ·3N级硅粉料 | 第59-60页 |
| ·单晶硅尾料和埚底料 | 第60页 |
| ·原料中金属杂质真空挥发特性 | 第60-62页 |
| ·感应加热定向凝固实验研究 | 第62-70页 |
| ·实验方案 | 第62-63页 |
| ·实验装置 | 第63页 |
| ·实验样品检测 | 第63-64页 |
| ·实验与结果分析 | 第64-70页 |
| ·电阻加热真空定向凝固实验研究 | 第70-85页 |
| ·实验方案 | 第70-71页 |
| ·实验装置 | 第71页 |
| ·实验结果及分析 | 第71-85页 |
| ·感应区域熔炼实验研究 | 第85-87页 |
| ·实验方案 | 第85-86页 |
| ·实验装置 | 第86页 |
| ·实验结果及分析 | 第86-87页 |
| ·不同加热方法去除金属杂质的对比 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第四章 真空定向凝固精炼晶体生长的实验研究 | 第91-120页 |
| ·实验 | 第91-92页 |
| ·实验原料和设备 | 第91-92页 |
| ·实验方案和样品检测 | 第92页 |
| ·柱状晶体生长的实验研究 | 第92-100页 |
| ·感应加热定向凝固和区域熔炼 | 第92-93页 |
| ·真空电阻加热定向凝固 | 第93-97页 |
| ·中型试验 | 第97-100页 |
| ·改进坩埚形状实验研究 | 第100-104页 |
| ·理论分析 | 第100-103页 |
| ·实验研究 | 第103-104页 |
| ·晶体生长的择优取向实验研究 | 第104-111页 |
| ·晶体生长动力学 | 第105-106页 |
| ·硅晶体择优生长面 | 第106-107页 |
| ·感应加热定向凝固晶体生长面的研究 | 第107-108页 |
| ·小型电阻加热定向凝固晶体生长面的研究 | 第108页 |
| ·中型电阻加热定向凝固晶体生长面的研究 | 第108-111页 |
| ·晶体缺陷实验研究 | 第111-117页 |
| ·感应加热定向凝固实验 | 第111-113页 |
| ·小型电阻加热定向凝固实验 | 第113-115页 |
| ·中型电阻加热定向凝固实验 | 第115-117页 |
| ·晶体生长对比分析与讨论 | 第117页 |
| ·综合分析与讨论 | 第117-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 第五章 热处理的实验研究 | 第120-134页 |
| ·不同气氛下热处理对硅片电阻率的影响分析 | 第120-124页 |
| ·氢气条件下的热处理 | 第120-121页 |
| ·氮气条件下的热处理 | 第121-122页 |
| ·氩气条件下的热处理 | 第122页 |
| ·氩气气氛中不同腐蚀时间的热处理 | 第122-124页 |
| ·铝吸杂热处理对硅片电阻率的影响分析 | 第124-127页 |
| ·不同的铝吸杂时间对多晶硅片电学性能的影响 | 第125-126页 |
| ·不同镀铝方式对多晶硅片电学性能的影响 | 第126-127页 |
| ·热处理对多晶硅生长取向的影响 | 第127-133页 |
| ·热处理对多晶硅的生长取向影响 | 第127-130页 |
| ·热处理对多晶硅中位错和晶界缺陷的影响 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 第六章 结论与展望 | 第134-138页 |
| ·结论 | 第134-136页 |
| ·论文创新点 | 第136页 |
| ·展望 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-151页 |
| 附录A (攻读学位期间发表论文和申请专利) | 第151-153页 |
| 附录B (攻读学位期间主持或参与的科研项目) | 第153-154页 |
| 附录C (攻读学位期间所获得的奖励) | 第154页 |