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聚变堆面向等离子体材料中氚滞留深度分布测量技术研究

摘要第3-6页
ABSTRACT第6-8页
第1章 绪论第11-29页
    1.1 磁约束可控核聚变反应堆简介第12-15页
    1.2 氚在面向等离子体材料中的滞留第15-17页
    1.3 国内外研究现状第17-26页
        1.3.1 钨中氚的测量研究现状第17-19页
        1.3.2 钨中氚的测量方法选择第19-26页
    1.4 小结第26-28页
    1.5 论文目的与内容第28-29页
第2章 氚的β射线与材料相互作用理论分析第29-34页
    2.1 氚的β谱第29-30页
    2.2 氚β射线在材料中的射程第30-31页
    2.3 氚β射线诱发X射线及X射线在材料中的减弱分析第31-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第3章 中子活化产物对钨中氚测量的影响研究第34-53页
    3.1 引言第34页
    3.2 钨材料中放射性中子活化产物计算方法第34-37页
    3.3 中子活化产物对氚测量结果影响评估方法第37-41页
    3.4 中子活化产物计算结果及分析第41-46页
    3.5 偏滤器钨涂层内中子活化产物对四种主要氚测量方法的影响评估第46-51页
    3.6 本章小结第51-53页
第4章 氚二维非均匀分布对氚测量结果的影响第53-61页
    4.1 引言第53页
    4.2 氚的二维非均匀分布对BIXS方法测量结果的影响第53-60页
    4.3 本章小结第60-61页
第5章 含氚样品深度分布测量方法研究第61-89页
    5.1 引言第61页
    5.2 逐层金属化学蚀刻法第61-74页
        5.2.1 基本原理第61-65页
        5.2.2 蚀刻侵蚀剂的选择第65-66页
        5.2.3 蚀刻装置的选材与设计第66页
        5.2.4 石蜡封装对样品蚀刻及实验结果的影响研究第66-68页
        5.2.5 实验参数对蚀刻过程的影响研究第68-72页
        5.2.6 溶液PH值及侵蚀剂稀释倍数对液闪测量结果影响研究第72-74页
    5.3 BIXS方法第74-82页
        5.3.1 基本原理第75-78页
        5.3.2 实验气氛、气压选择第78-79页
        5.3.3 内轫致辐射对BIXS方法测量结果影响研究第79-82页
    5.4 TIP方法第82-87页
        5.4.1 基本原理第82-84页
        5.4.2 TR成像板消屏时间测量第84-85页
        5.4.3 TR成像板衰减曲线测量第85-86页
        5.4.4 SR成像板线性区间测量第86-87页
    5.5 本章小结第87-89页
第6章 含氚样品深度分布实验测量及分析第89-107页
    6.1 样品及充氚实验第89-90页
    6.2 实验准备工作第90-93页
        6.2.1 实验设备及耗材第90-91页
        6.2.2 低能X射线谱仪的能量刻度及本底测量第91-92页
        6.2.3 BIXS单层响应能谱模拟第92-93页
    6.3 充氚样品实验测量及分析第93-106页
        6.3.1 实验流程第93-94页
        6.3.2 实验结果及分析第94-100页
        6.3.3 化学蚀刻方法误差分析第100-102页
        6.3.4 BIXS方法对其余钨样品、锆样品中氚的测量及分析第102-104页
        6.3.5 TIP方法对其余钨样品表面氚分布测量及分析第104-106页
    6.4 本章小结第106-107页
第7章 总结和展望第107-110页
    7.1 主要结论第107-108页
    7.2 本论文的创新之处第108-109页
    7.3 后续工作展望第109-110页
参考文献第110-117页
致谢第117-118页
附录A 在校期间发表学术论文第118-119页
附录B 参加主要学术活动第119页
附录C 在校期间获奖情况第119页

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