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基于银纳米立方体及分子印迹膜的表面等离子体耦合荧光研究

摘要第11-13页
Abstract第13-14页
第一章 绪论第15-54页
    1.1 表面等离子体耦合发射荧光概述第15-19页
        1.1.1 表面等离子体耦合发射荧光的原理第15-16页
        1.1.2 表面等离子体耦合发射荧光的性质第16-19页
    1.2 表面等离子体耦合发射荧光的研究进展第19-26页
        1.2.1 基底拓展研究第19-21页
        1.2.2 其他发光机制的SPCE研究第21-22页
        1.2.3 仪器装置第22-23页
        1.2.4 SPCE生化传感研究第23-26页
    1.3 “热点”结构增强荧光研究进展第26-34页
        1.3.1 基于球面-薄膜耦合结构增强荧光研究第26-28页
        1.3.2 基于立方体-薄膜耦合结构增强荧光研究第28-32页
        1.3.3 基于薄膜耦合“热点”增强SPCE研究第32-34页
    1.4 分子印迹技术概述第34-43页
        1.4.1 分子印迹技术原理第34-35页
        1.4.2 表面分子印迹第35-36页
        1.4.3 分子印迹技术的若干应用第36-41页
        1.4.4 分子印迹荧光传感器研究策略第41-43页
    1.5 论文构思第43-44页
    参考文献第44-54页
第二章 “去猝灭”表面等离子体耦合发射荧光:银纳米立方体-金属薄膜耦合结构第54-77页
    2.1 引言第54-55页
    2.2 实验部分第55-58页
        2.2.1 仪器与试剂第55-56页
        2.2.2 金属基底制备第56页
        2.2.3 银纳米立方体(AgNCs)合成第56-57页
        2.2.4 基底修饰第57-58页
    2.3 结果与讨论第58-73页
        2.3.1 基底表征第58-59页
        2.3.2 银纳米立方体(AgNCs)表征第59-60页
        2.3.3 表面等离子体纳米结构产生“去猝灭”现象第60-64页
        2.3.4 表面等离子体纳米结构下自由空间发射(FSE)研究第64-65页
        2.3.5 影响“去猝灭”效果的因素第65-73页
    2.4 本章小结第73页
    参考文献第73-77页
第三章 基于分子印迹膜的表面等离子体耦合荧光研究第77-93页
    3.1 引言第77-78页
    3.2 实验部分第78-81页
        3.2.1 仪器与试剂第78-79页
        3.2.2 实验方法第79-81页
    3.3 结果与讨论第81-88页
        3.3.1 实验作用机理第81-82页
        3.3.2 分子印迹聚合物(MIPs)表征第82-84页
        3.3.3 基于分子印迹聚合物(MIPs)的SPCE光谱性质第84-85页
        3.3.4 表面等离子体耦合发射荧光荧光显微(SPCEM)成像第85-88页
    3.4 小结第88-89页
    参考文献第89-93页
第四章 结语与展望第93-95页
    4.1 总结第93页
    4.2 研究工作展望第93-95页
缩略语第95-96页
攻读硕士学位期间所获奖励第96-97页
攻读硕士学位期间发表论文第97-98页
致谢第98-99页

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