| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-39页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·单晶硅的制备 | 第14-16页 |
| ·区熔法(Floating zone，FZ) | 第15页 |
| ·直拉法(Czochralski，CZ) | 第15-16页 |
| ·硅中的氧 | 第16-24页 |
| ·氧的引入 | 第17-18页 |
| ·氧的溶解度 | 第18-20页 |
| ·氧的测量 | 第20-22页 |
| ·氧的扩散 | 第22-24页 |
| ·直拉硅中的氧沉淀 | 第24-37页 |
| ·氧沉淀形成的热力学和动力 | 第24-26页 |
| ·氧沉淀的影响因素 | 第26-34页 |
| ·氧沉淀及其诱生缺陷的表征技术 | 第34-37页 |
| ·本文的研究方向 | 第37-39页 |
| 第三章 实验设备及样品准备 | 第39-45页 |
| ·实验设备 | 第39-43页 |
| ·热处理设备 | 第39-40页 |
| ·分析及测试设备 | 第40-43页 |
| ·样品准备 | 第43-45页 |
| 第四章 低温退火对重掺锑直拉硅片中氧沉淀形核的影响 | 第45-61页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-48页 |
| ·实验样品 | 第46页 |
| ·实验步骤 | 第46-48页 |
| ·实验结果及分析 | 第48-60页 |
| ·低温退火温度对重掺锑直拉硅片氧沉淀形核的影响 | 第48-52页 |
| ·低温退火时间对重掺锑直拉硅片氧沉淀形核的影响 | 第52-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 重掺锑直拉硅单晶中的原生氧沉淀 | 第61-72页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·实验样品 | 第62页 |
| ·实验步骤 | 第62-63页 |
| ·实验结果及讨论 | 第63-71页 |
| ·原生氧沉淀对重掺锑硅片氧沉淀形核的影响 | 第63-67页 |
| ·模拟重掺锑直拉硅单晶中的原生氧沉淀 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 高温快速热处理对重掺锑直拉硅片中氧沉淀的影响 | 第72-81页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·实验 | 第73页 |
| ·实验样品 | 第73页 |
| ·实验过程 | 第73页 |
| ·实验结果及讨论 | 第73-80页 |
| ·RTP预处理对重掺锑直拉硅片经低高两步和高温单步退火氧沉淀的影响 | 第73-77页 |
| ·RTP预处理对重掺锑直拉硅片经低温单步长时间退火氧沉淀的影响 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第7章 总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第90页 |
