| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 绝缘子污秽闪络的国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 绝缘子污秽闪络特性及其影响因素 | 第11-12页 |
| 1.2.2 绝缘子污秽闪络过程 | 第12-13页 |
| 1.3 绝缘子覆冰闪络的国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 绝缘子覆冰类型 | 第13-14页 |
| 1.3.2 绝缘子覆冰闪络特性及其影响因素 | 第14-17页 |
| 1.3.3 绝缘子覆冰闪络过程 | 第17页 |
| 1.4 论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 1.5 本章小结 | 第18-19页 |
| 2 试品、试验装置及试验方法 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 试品 | 第19-20页 |
| 2.3 试验装置和试验原理 | 第20-24页 |
| 2.3.1 试验装置 | 第20-21页 |
| 2.3.2 测量装置 | 第21-23页 |
| 2.3.3 试验原理及绝缘子串倒T型布置方式 | 第23-24页 |
| 2.4 试验程序和方法 | 第24-27页 |
| 2.4.1 污秽闪络试验 | 第24-25页 |
| 2.4.2 覆冰闪络试验 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 绝缘子串倒T型布置方式的交流污秽闪络特性 | 第29-47页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 绝缘子串“2+2”型倒T型布置的污秽闪络特性 | 第29-32页 |
| 3.2.1 盐密对绝缘子串污闪电压的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 污秽闪络电压提高百分比 | 第31-32页 |
| 3.3 绝缘子串“3+3”型倒T型布置的污秽闪络特性 | 第32-35页 |
| 3.3.1 盐密对绝缘子串污闪电压的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.2 污秽闪络电压提高百分比 | 第34-35页 |
| 3.4 绝缘子串“7+2”型倒T型布置的污秽闪络特性 | 第35-40页 |
| 3.4.1 盐密对绝缘子串污闪电压的影响 | 第35-37页 |
| 3.4.2 污秽闪络电压提高百分比 | 第37-38页 |
| 3.4.3 绝缘子串泄漏电流分析 | 第38-40页 |
| 3.5 绝缘子串倒T型布置提高闪络电压的原因 | 第40-41页 |
| 3.6 布置方式对绝缘子串污闪放电过程的影响 | 第41-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 绝缘子串倒T型布置方式的交流覆冰闪络特性 | 第47-65页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 布置方式对绝缘子串覆冰形态的影响 | 第47-49页 |
| 4.3 覆冰闪络试验结果及分析 | 第49-50页 |
| 4.4 绝缘子串交流覆冰闪络特性 | 第50-57页 |
| 4.4.1 盐密对冰闪电压的影响 | 第50-52页 |
| 4.4.2 覆冰程度对冰闪电压的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.3 绝缘子串泄漏电流分析 | 第53-55页 |
| 4.4.4 冰闪电压提高百分比 | 第55-57页 |
| 4.5 布置方式对绝缘子串冰闪放电过程的影响 | 第57-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 结论与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
