| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-10页 |
| 1.2 纯铜化学机械抛光技术 | 第10-12页 |
| 1.2.1 化学机械抛光技术概述 | 第10-11页 |
| 1.2.2 纯铜材料的化学机械抛光研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第12-15页 |
| 2 大径厚比纯铜零件的CMP抛光液的筛选 | 第15-30页 |
| 2.1 CMP抛光液筛选试验条件 | 第15-17页 |
| 2.2 CMP抛光液正交试验筛选 | 第17-22页 |
| 2.2.1 CMP抛光液成分的确定 | 第17页 |
| 2.2.2 CMP抛光液配方的正交试验 | 第17-22页 |
| 2.3 CMP抛光液单因素试验筛选 | 第22-29页 |
| 2.3.1 络合剂浓度单因素试验 | 第22-24页 |
| 2.3.2 氧化剂浓度单因素试验及抛光液配方的确定 | 第24-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 大径厚比纯铜零件的化学机械抛光工艺试验 | 第30-42页 |
| 3.1 大径厚比纯铜零件化学机械抛光的工艺参数优化 | 第30-36页 |
| 3.1.1 抛光垫种类、抛光时间对平面度、表面粗糙度的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.2 抛光盘转速对平面度、表面粗糙度的影响 | 第32-36页 |
| 3.2 IC1000抛光垫的修整 | 第36-39页 |
| 3.3 优化后工艺参数下的化学机械抛光试验及结果分析 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 大径厚比纯铜零件化学机械抛光的去除机理研究 | 第42-52页 |
| 4.1 大径厚比纯铜零件化学机械抛光的化学作用 | 第43-46页 |
| 4.2 化学作用与机械作用协同进行的材料去除过程 | 第46-49页 |
| 4.3 腐蚀缺陷的产生及其原因 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 大径厚比纯铜零件化学机械抛光的加工残余应力研究 | 第52-63页 |
| 5.1 大径厚比纯铜零件加工残余应力的测量方式 | 第52-58页 |
| 5.1.1 X射线衍射法测量加工残余应力 | 第52-55页 |
| 5.1.2 小孔法测量加工残余应力 | 第55-58页 |
| 5.2 本文CMP工艺对零件残余应力的影响 | 第58-62页 |
| 5.2.1 本文CMP工艺与其它抛光工艺对残余应力产生的影响及对比 | 第58-59页 |
| 5.2.2 抛光时间与零件不同深度下残余应力的关系 | 第59-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
