摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 太阳能电池的简介 | 第11-18页 |
1.2.1 太阳能电池的工作原理 | 第11-12页 |
1.2.2 太阳能电池的分类 | 第12-13页 |
1.2.3 薄膜太阳能电池研究进展 | 第13-17页 |
1.2.4 新型薄膜太阳能电池材料的选择要求 | 第17-18页 |
1.3 硒化锑(Sb_2Se_3)薄膜太阳能电池 | 第18-22页 |
1.3.1 Sb_2Se_3的材料性质 | 第18-20页 |
1.3.2 Sb_2Se_3薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
1.4 本文研究的主要意义与内容 | 第22-25页 |
1.4.1 目前该领域存在的主要问题和选题依据 | 第22-23页 |
1.4.2 本文的主要工作 | 第23-25页 |
第二章 直流溅射金属Sb后硒化法制备Sb_2Se_3薄膜太阳能电池 | 第25-36页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 磁控溅射制备薄膜的原理 | 第25-26页 |
2.3 实验内容 | 第26-31页 |
2.3.1 仪器与试剂 | 第26-27页 |
2.3.2 玻璃的清洗步骤 | 第27-28页 |
2.3.3 磁控溅射钼基底 | 第28页 |
2.3.4 磁控溅射法制备金属锑薄膜 | 第28-29页 |
2.3.5 不同温度下对金属Sb预制层进行硒化 | 第29页 |
2.3.6 CdS缓冲层的制备 | 第29-30页 |
2.3.7 窗口层的制备 | 第30页 |
2.3.8 蒸镀Ag电极 | 第30页 |
2.3.9 样品的测试与表征 | 第30-31页 |
2.4 结果与讨论 | 第31-35页 |
2.4.1 金属锑薄膜的SEM形貌 | 第31页 |
2.4.2 Sb_2Se_3薄膜的SEM形貌分析 | 第31-32页 |
2.4.3 不同退火温度下吸收层的X射线衍射(XRD)分析 | 第32-33页 |
2.4.4 不同退火温度下吸收层的拉曼光谱分析 | 第33-34页 |
2.4.5 不同退火温度下吸收层的ICP分析 | 第34页 |
2.4.6 Sb_2Se_3薄膜太阳能电池器件性能的表征 | 第34-35页 |
2.5 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 热诱导下溅射Sb_2Se_3薄膜结构的演化 | 第36-46页 |
3.1 引言 | 第36页 |
3.2 实验部分 | 第36-38页 |
3.2.1 仪器与试剂 | 第36-37页 |
3.2.2 基底FTO的清洗 | 第37页 |
3.2.3 热诱导下溅射Sb_2Se_3薄膜 | 第37-38页 |
3.2.4 CdS缓冲层的制备 | 第38页 |
3.2.5 窗口层的制备 | 第38页 |
3.2.6 蒸镀Ag电极 | 第38页 |
3.2.7 样品的测试与表征 | 第38页 |
3.3 结果与讨论 | 第38-44页 |
3.3.1 吸收层的SEM形貌 | 第38-40页 |
3.3.2 吸收层的ICP分析 | 第40页 |
3.3.3 吸收层的XRD物相分析 | 第40-42页 |
3.3.4 吸收层的拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
3.3.5 器件的性能表征 | 第43-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-46页 |
第四章 磁控溅射后退火对Sb_2Se_3薄膜的影响 | 第46-54页 |
4.1 引言 | 第46页 |
4.2 实验部分 | 第46-48页 |
4.2.1 仪器与试剂 | 第46页 |
4.2.2 玻璃基底的清洗 | 第46-47页 |
4.2.3 钼背电极的制备 | 第47页 |
4.2.4 磁控溅射法制备Sb_2Se_3薄膜 | 第47页 |
4.2.5 Sb_2Se_3薄膜的退火 | 第47-48页 |
4.2.6 缓冲层CdS的制备 | 第48页 |
4.2.7 窗口层的制备 | 第48页 |
4.2.8 蒸镀Ag电极 | 第48页 |
4.3 结果与讨论 | 第48-52页 |
4.3.1 薄膜的ICP结果分析 | 第48页 |
4.3.2 吸收层的SEM形貌分析 | 第48-49页 |
4.3.3 吸收层的拉曼光谱分析 | 第49-50页 |
4.3.4 吸收层的XRD物相分析 | 第50-51页 |
4.3.5 太阳能电池器件的光电特性测试分析 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-54页 |
第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
5.1 总结 | 第54页 |
5.2 展望 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-62页 |
硕士期间发表和已完成的论文与工作 | 第62-64页 |
致谢 | 第64-65页 |