基于图形化衬底的多周期InGaAs量子点的生长研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 低维半导体材料 | 第7-8页 |
| 1.2 量子点器件的发展 | 第8-10页 |
| 1.2.1 量子点激光器 | 第8-9页 |
| 1.2.2 量子点太阳电池 | 第9页 |
| 1.2.3 量子点发光二极管 | 第9-10页 |
| 1.3 量子点的生长模式 | 第10-13页 |
| 1.3.1 量子点主要生长模式 | 第10-11页 |
| 1.3.2 S-K模式 | 第11-13页 |
| 1.4 图形化衬底 | 第13-15页 |
| 1.4.1 图形化衬底与制备方法 | 第13页 |
| 1.4.2 图形化衬底上生长量子点方法 | 第13-14页 |
| 1.4.3 影响多周期量子点生长的因素 | 第14-15页 |
| 1.5 论文结构 | 第15-17页 |
| 第二章 实验仪器介绍及实验准备工作 | 第17-26页 |
| 2.1 MBE-STM联合系统 | 第17-23页 |
| 2.1.1 分子束外延 | 第17-18页 |
| 2.1.2 RHEED | 第18-20页 |
| 2.1.3 扫描隧道显微镜 | 第20-21页 |
| 2.1.4 扫描探针 | 第21-23页 |
| 2.2 原子力显微镜 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 生长量子点之前的工艺探索 | 第26-36页 |
| 3.1 实验准备工作 | 第26-30页 |
| 3.1.1 As压校准 | 第26-27页 |
| 3.1.2 源温校准和速率的测定 | 第27-28页 |
| 3.1.3 衬底温度校准 | 第28-30页 |
| 3.2 工艺参数的确定 | 第30-33页 |
| 3.2.1 所使用的图形化衬底 | 第30页 |
| 3.2.2 InGaAs沉积量 | 第30-31页 |
| 3.2.3 退火时间 | 第31-32页 |
| 3.2.4 沉积速率 | 第32-33页 |
| 3.2.5 衬底温度 | 第33页 |
| 3.3 多周期量子点生长工艺 | 第33-35页 |
| 3.4 图形化衬底多周期量子点的生长工艺 | 第35-36页 |
| 第四章 多周期量子点链 | 第36-45页 |
| 4.1 GaAs缓冲层表面形貌的处理 | 第36-37页 |
| 4.2 单层量子点链 | 第37-39页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第37页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第37-39页 |
| 4.3 多周期量子点链 | 第39-41页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第39页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第39-41页 |
| 4.4 理论分析 | 第41-42页 |
| 4.5 物理模型 | 第42-43页 |
| 4.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 图形化衬底多周期InGaAs量子点 | 第45-55页 |
| 5.1 衬底预处理和孔洞形貌 | 第45-46页 |
| 5.2 GaAs缓冲层的生长 | 第46-47页 |
| 5.3 单层量子点 | 第47-49页 |
| 5.3.1 实验过程 | 第47-48页 |
| 5.3.2 实验结果及分析 | 第48-49页 |
| 5.4 多周期量子点 | 第49-53页 |
| 5.4.1 实验过程 | 第49-50页 |
| 5.4.2 实验结果 | 第50-53页 |
| 5.5 理论分析 | 第53-54页 |
| 5.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士期间已发表论文和参加科研情况 | 第64-65页 |
