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基于图形化衬底的多周期InGaAs量子点的生长研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第7-17页
    1.1 低维半导体材料第7-8页
    1.2 量子点器件的发展第8-10页
        1.2.1 量子点激光器第8-9页
        1.2.2 量子点太阳电池第9页
        1.2.3 量子点发光二极管第9-10页
    1.3 量子点的生长模式第10-13页
        1.3.1 量子点主要生长模式第10-11页
        1.3.2 S-K模式第11-13页
    1.4 图形化衬底第13-15页
        1.4.1 图形化衬底与制备方法第13页
        1.4.2 图形化衬底上生长量子点方法第13-14页
        1.4.3 影响多周期量子点生长的因素第14-15页
    1.5 论文结构第15-17页
第二章 实验仪器介绍及实验准备工作第17-26页
    2.1 MBE-STM联合系统第17-23页
        2.1.1 分子束外延第17-18页
        2.1.2 RHEED第18-20页
        2.1.3 扫描隧道显微镜第20-21页
        2.1.4 扫描探针第21-23页
    2.2 原子力显微镜第23-25页
    2.3 本章小结第25-26页
第三章 生长量子点之前的工艺探索第26-36页
    3.1 实验准备工作第26-30页
        3.1.1 As压校准第26-27页
        3.1.2 源温校准和速率的测定第27-28页
        3.1.3 衬底温度校准第28-30页
    3.2 工艺参数的确定第30-33页
        3.2.1 所使用的图形化衬底第30页
        3.2.2 InGaAs沉积量第30-31页
        3.2.3 退火时间第31-32页
        3.2.4 沉积速率第32-33页
        3.2.5 衬底温度第33页
    3.3 多周期量子点生长工艺第33-35页
    3.4 图形化衬底多周期量子点的生长工艺第35-36页
第四章 多周期量子点链第36-45页
    4.1 GaAs缓冲层表面形貌的处理第36-37页
    4.2 单层量子点链第37-39页
        4.2.1 实验方法第37页
        4.2.2 实验结果第37-39页
    4.3 多周期量子点链第39-41页
        4.3.1 实验方法第39页
        4.3.2 实验结果第39-41页
    4.4 理论分析第41-42页
    4.5 物理模型第42-43页
    4.6 本章小结第43-45页
第五章 图形化衬底多周期InGaAs量子点第45-55页
    5.1 衬底预处理和孔洞形貌第45-46页
    5.2 GaAs缓冲层的生长第46-47页
    5.3 单层量子点第47-49页
        5.3.1 实验过程第47-48页
        5.3.2 实验结果及分析第48-49页
    5.4 多周期量子点第49-53页
        5.4.1 实验过程第49-50页
        5.4.2 实验结果第50-53页
    5.5 理论分析第53-54页
    5.6 本章小结第54-55页
第六章 总结与展望第55-57页
    6.1 总结第55-56页
    6.2 展望第56-57页
致谢第57-59页
参考文献第59-64页
攻读硕士期间已发表论文和参加科研情况第64-65页

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