| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-28页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第20-23页 |
| 1.2 国内外研究现状及存在问题 | 第23-27页 |
| 1.2.1 InP/InGaAs HBTs器件的研究现状 | 第23-25页 |
| 1.2.2 HBTs器件的辐照效应研究现状 | 第25-27页 |
| 1.3 本文结构 | 第27-28页 |
| 第二章 辐照基本概念 | 第28-42页 |
| 2.1 空间辐照环境 | 第28-29页 |
| 2.2 基本损伤机理 | 第29-36页 |
| 2.2.1 电离损伤 | 第30-32页 |
| 2.2.2 位移损伤 | 第32-35页 |
| 2.2.3 非电离能量损失(NIEL)概念 | 第35-36页 |
| 2.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物的辐射效应 | 第36-37页 |
| 2.4 同质结器件的辐射效应 | 第37-38页 |
| 2.5 异质结器件的辐射效应 | 第38-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 InP/InGaAs HBTs器件及其参数 | 第42-62页 |
| 3.1 HBT的基础 | 第42-47页 |
| 3.1.1 HBT结构、性能 | 第43-44页 |
| 3.1.2 HBT器件工作模式 | 第44-47页 |
| 3.2 InP HBTs器件的电学特性测试 | 第47-50页 |
| 3.2.1 直流特性测试 | 第47-49页 |
| 3.2.2 频率特性测试 | 第49-50页 |
| 3.3 InP HBTs晶体管的关键参数 | 第50-58页 |
| 3.3.1 InP HBTs的直流参数 | 第50-53页 |
| 3.3.2 InP HBTs的击穿特性 | 第53-54页 |
| 3.3.3 InP HBTs的交流参数 | 第54-58页 |
| 3.4 InP HBTs器件的尺寸效应 | 第58-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-62页 |
| 第四章 InP/InGaAs器件质子辐照效应仿真 | 第62-90页 |
| 4.1 InP/InGaAs异质PN结及HBTs器件结构参数 | 第62-64页 |
| 4.2 质子辐照效应SRIM仿真 | 第64-71页 |
| 4.2.1 InP、InGaAs材料质子辐照SRIM仿真 | 第64-67页 |
| 4.2.2 InP/InGaAs异质PN结质子辐照SRIM仿真 | 第67-71页 |
| 4.3 InP/InGaAs HBTs器件Sentaurus建模 | 第71-76页 |
| 4.4 InP/InGaAs HBTs器件质子辐照Sentaurus仿真 | 第76-85页 |
| 4.4.1 不同剂量质子辐照Sentaurus仿真 | 第76-81页 |
| 4.4.2 不同能量质子辐照Sentaurus仿真 | 第81-85页 |
| 4.5 不同发射极尺寸器件特性 | 第85-87页 |
| 4.6 本章小结 | 第87-90页 |
| 第五章 InP/InGaAsHBTs器件质子辐照研究 | 第90-104页 |
| 5.1 InP/InGaAs异质PN结及HBTs器件的质子辐照实验 | 第90-91页 |
| 5.2 InP/InGaAs异质PN结结构质子辐照 | 第91-92页 |
| 5.3 InP/InGaAs HBTs器件质子辐照 | 第92-102页 |
| 5.3.1 InP/InGaAs HBTs器件不同剂量质子辐照 | 第92-101页 |
| 5.3.2 InP/InGaAs HBTs器件不同能量质子辐照 | 第101-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 总结与展望 | 第104-108页 |
| 6.1 总结 | 第104-105页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第105-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 作者简介 | 第120-122页 |
