摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 前言 | 第12-13页 |
1.2 新型非易失性存储器 | 第13-14页 |
1.2.1 铁电存储器(FRAM) | 第13页 |
1.2.2 相变存储器(PRAM) | 第13页 |
1.2.3 磁存储器(MRAM) | 第13页 |
1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第13-14页 |
1.3 阻变存储器的发展 | 第14-21页 |
1.3.1 阻变存储器的分类 | 第15-17页 |
1.3.2 阻变存储器的机制 | 第17-20页 |
1.3.3 阻变存储器的性能参数 | 第20-21页 |
1.4 Pr_2CuO_4材料 | 第21页 |
1.5 研究背景和思路 | 第21-24页 |
参考文献 | 第24-28页 |
第二章 Pr_2CuO_4薄膜的制备方法及性能表征 | 第28-38页 |
2.1 薄膜及电极制备方法 | 第28-31页 |
2.1.1 脉冲激光沉积 | 第28-29页 |
2.1.2 磁控溅射沉积 | 第29-30页 |
2.1.3 离子溅射 | 第30-31页 |
2.2 薄膜及器件表征方法 | 第31-34页 |
2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第31-32页 |
2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第32页 |
2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
2.2.4 Keithley2400源表 | 第33-34页 |
2.3 本章小结 | 第34-36页 |
参考文献 | 第36-38页 |
第三章 Pt/Pr_2CuO_4/Pt三明治结构的单极性电阻开关特性 | 第38-58页 |
3.1 前言 | 第38页 |
3.2 实验过程 | 第38-42页 |
3.2.1 Pr_2CuO_4陶瓷靶材的制备 | 第38-41页 |
3.2.2 PCO薄膜和Pt/PCO/Pt三明治结构器件的制备 | 第41页 |
3.2.3 PCO薄膜样品的表征 | 第41-42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-50页 |
3.3.1 PCO薄膜样品的XRD分析 | 第42-43页 |
3.3.2 PCO薄膜样品的SEM分析 | 第43-44页 |
3.3.3 PCO薄膜样品的AFM分析 | 第44-45页 |
3.3.4 Pt/PCO/Pt薄膜器件的I-V曲线 | 第45-46页 |
3.3.5 Pt/PCO/Pt薄膜器件的单极性测试 | 第46-50页 |
3.4 Pt/PCO/Pt薄膜器件电阻开关特性 | 第50-53页 |
3.5 Pt/PCO/Pt器件的稳定性测量 | 第53-55页 |
3.5.1 Pt/PCO/Pt器件的数据重复性测试 | 第53-54页 |
3.5.2 Pt/PCO/Pt器件的数据保持性测试 | 第54-55页 |
3.6 本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-58页 |
第四章 不同电极和衬底对M/Pr_2CuO_4/M器件电阻开关特性影响的研究 | 第58-76页 |
4.1 前言 | 第58页 |
4.2 Si、Pt、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的制备 | 第58-59页 |
4.2.1 Si、Pt、STO和NSTO衬底的清洗 | 第58页 |
4.2.2 Si、Pt、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的制备 | 第58-59页 |
4.2.3 M/Pr_2CuO_4/M器件的上电极的制备 | 第59页 |
4.3 PCO薄膜的XRD及形貌表征 | 第59-63页 |
4.3.1 Si、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的XRD分析 | 第59-60页 |
4.3.2 Si、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的表面形貌分析 | 第60-63页 |
4.4 PCO薄膜器件的电学性质 | 第63-72页 |
4.4.1 Au/PCO/Pt器件的电学性质 | 第63-64页 |
4.4.2 Ag/PCO/Pt器件的电学性质 | 第64-66页 |
4.4.3 Pt/PCO/Si和Au/PCO/Si的电学性质 | 第66-68页 |
4.4.4 Pt/PCO/(100)NSTO/In器件的电学性质 | 第68-71页 |
4.4.5 Pt/PCO/(110)NSTO/In器件的电学性质 | 第71-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-76页 |
第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第78-80页 |
致谢 | 第80-81页 |