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铜氧化物Pr2CuO4薄膜电阻开关特性的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 前言第12-13页
    1.2 新型非易失性存储器第13-14页
        1.2.1 铁电存储器(FRAM)第13页
        1.2.2 相变存储器(PRAM)第13页
        1.2.3 磁存储器(MRAM)第13页
        1.2.4 阻变存储器(RRAM)第13-14页
    1.3 阻变存储器的发展第14-21页
        1.3.1 阻变存储器的分类第15-17页
        1.3.2 阻变存储器的机制第17-20页
        1.3.3 阻变存储器的性能参数第20-21页
    1.4 Pr_2CuO_4材料第21页
    1.5 研究背景和思路第21-24页
    参考文献第24-28页
第二章 Pr_2CuO_4薄膜的制备方法及性能表征第28-38页
    2.1 薄膜及电极制备方法第28-31页
        2.1.1 脉冲激光沉积第28-29页
        2.1.2 磁控溅射沉积第29-30页
        2.1.3 离子溅射第30-31页
    2.2 薄膜及器件表征方法第31-34页
        2.2.1 X射线衍射仪(XRD)第31-32页
        2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第32页
        2.2.3 原子力显微镜(AFM)第32-33页
        2.2.4 Keithley2400源表第33-34页
    2.3 本章小结第34-36页
    参考文献第36-38页
第三章 Pt/Pr_2CuO_4/Pt三明治结构的单极性电阻开关特性第38-58页
    3.1 前言第38页
    3.2 实验过程第38-42页
        3.2.1 Pr_2CuO_4陶瓷靶材的制备第38-41页
        3.2.2 PCO薄膜和Pt/PCO/Pt三明治结构器件的制备第41页
        3.2.3 PCO薄膜样品的表征第41-42页
    3.3 结果与讨论第42-50页
        3.3.1 PCO薄膜样品的XRD分析第42-43页
        3.3.2 PCO薄膜样品的SEM分析第43-44页
        3.3.3 PCO薄膜样品的AFM分析第44-45页
        3.3.4 Pt/PCO/Pt薄膜器件的I-V曲线第45-46页
        3.3.5 Pt/PCO/Pt薄膜器件的单极性测试第46-50页
    3.4 Pt/PCO/Pt薄膜器件电阻开关特性第50-53页
    3.5 Pt/PCO/Pt器件的稳定性测量第53-55页
        3.5.1 Pt/PCO/Pt器件的数据重复性测试第53-54页
        3.5.2 Pt/PCO/Pt器件的数据保持性测试第54-55页
    3.6 本章小结第55-56页
    参考文献第56-58页
第四章 不同电极和衬底对M/Pr_2CuO_4/M器件电阻开关特性影响的研究第58-76页
    4.1 前言第58页
    4.2 Si、Pt、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的制备第58-59页
        4.2.1 Si、Pt、STO和NSTO衬底的清洗第58页
        4.2.2 Si、Pt、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的制备第58-59页
        4.2.3 M/Pr_2CuO_4/M器件的上电极的制备第59页
    4.3 PCO薄膜的XRD及形貌表征第59-63页
        4.3.1 Si、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的XRD分析第59-60页
        4.3.2 Si、STO和NSTO衬底上PCO薄膜的表面形貌分析第60-63页
    4.4 PCO薄膜器件的电学性质第63-72页
        4.4.1 Au/PCO/Pt器件的电学性质第63-64页
        4.4.2 Ag/PCO/Pt器件的电学性质第64-66页
        4.4.3 Pt/PCO/Si和Au/PCO/Si的电学性质第66-68页
        4.4.4 Pt/PCO/(100)NSTO/In器件的电学性质第68-71页
        4.4.5 Pt/PCO/(110)NSTO/In器件的电学性质第71-72页
    4.5 本章小结第72-74页
    参考文献第74-76页
第五章 总结与展望第76-78页
攻读硕士期间发表的论文第78-80页
致谢第80-81页

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