| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 半导体激光器的发展与现状 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体激光器的基本原理 | 第9-11页 |
| 1.3 论文主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 器件制备与测试方法 | 第13-22页 |
| 2.1 器件材料生长技术 | 第13-16页 |
| 2.2 器件制备工艺技术 | 第16-18页 |
| 2.3 测试设备与系统搭建 | 第18-21页 |
| 2.3.1 测试设备 | 第18-19页 |
| 2.3.2 测试系统搭建 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 1.3μm波段GaAs基InAs量子点激光器性能研究 | 第22-34页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 GaAs基InAs量子点激光器材料生长结构 | 第22-23页 |
| 3.3 GaAs基InAs量子点激光器输出性能研究 | 第23-30页 |
| 3.3.1 GaAs基InAs量子点激光器的输出性能 | 第23-24页 |
| 3.3.2 温度对GaAs基InAs量子点激光器功率输出性能的影响 | 第24-27页 |
| 3.3.3 温度对GaAs基InAs量子点激光器电压输出性能的影响 | 第27-30页 |
| 3.4 GaAs基InAs量子点激光器的光谱性能研究 | 第30-33页 |
| 3.4.1 注入电流对GaAs基InAs量子点激光器激射波长的影响 | 第30-32页 |
| 3.4.2 温度对GaAs基InAs量子点激光器激射波长的影响 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 Ge基InAs量子点激光器性能研究 | 第34-41页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 Ge基InAs/GaAs量子点激光器材料生长结构 | 第34-35页 |
| 4.3 Ge基InAs/GaAs量子点激光器的输出性能 | 第35-36页 |
| 4.4 Ge基与GaAs基InAs量子点激光器性能比较 | 第36-40页 |
| 4.4.1 Ge基与GaAs基InAs量子点激光器功率输出特性 | 第36-37页 |
| 4.4.2 Ge基与GaAs基InAs量子点激光器激射谱 | 第37-38页 |
| 4.4.3 温度对Ge基与GaAs基InAs量子点激光器性能的影响 | 第38-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 2.0μm波段Sb化物量子阱激光器性能研究 | 第41-48页 |
| 5.1 引言 | 第41页 |
| 5.2 GaSb基量子阱激光器材料生长结构 | 第41-42页 |
| 5.3 GaSb基量子阱激光器性能研究 | 第42-47页 |
| 5.3.1 GaSb基量子阱激光器的阈值特性 | 第42-44页 |
| 5.3.2 GaSb基量子阱激光器的光谱性能 | 第44-45页 |
| 5.3.3 GaSb基量子阱激光器的输出性能 | 第45-46页 |
| 5.3.4 GaSb基量子阱激光器的量子效率计算 | 第46-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结和展望 | 第48-50页 |
| 6.1 全文总结 | 第48-49页 |
| 6.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 在校期间发表的学术论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
