基于IGZO-TFT的打印银源漏电极研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 MOTFT简介 | 第10-15页 |
| 1.2.1 MOTFT的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 MOTFT的器件结构 | 第13-14页 |
| 1.2.3 MOTFT的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 MOTFT电极制备技术 | 第15-21页 |
| 1.3.1 磁控溅射 | 第15-17页 |
| 1.3.2 喷墨打印技术 | 第17-21页 |
| 1.4 打印电极材料 | 第21-24页 |
| 1.4.1 导电高分子墨水 | 第21-22页 |
| 1.4.2 无机非金属墨水 | 第22页 |
| 1.4.3 透明氧化物墨水 | 第22-23页 |
| 1.4.4 金属墨水 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究目的及工作内容 | 第24-25页 |
| 第二章 表征方法 | 第25-32页 |
| 2.1 薄膜厚度 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜表面形貌 | 第26页 |
| 2.3 薄膜结构和成分 | 第26-28页 |
| 2.4 薄膜的电学性能 | 第28页 |
| 2.5 薄膜晶体管的性能 | 第28-32页 |
| 第三章 喷墨打印银电极的研究 | 第32-49页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 打印Ag薄膜工艺的研究 | 第32-37页 |
| 3.2.1 墨滴间距对Ag薄膜的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.2 基板温度对Ag薄膜的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 Ag薄膜的表征 | 第37-40页 |
| 3.4 打印Ag源漏电极制备a-IGZOTFT | 第40-47页 |
| 3.4.1 不同银电极对器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.2 不同固化温度对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.4.3 器件的均匀性 | 第43-44页 |
| 3.4.4 Ag电极和a-IGZO的接触特性 | 第44-46页 |
| 3.4.5 器件的偏压稳定性 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 喷墨打印银电极阵列的研究 | 第49-57页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 阵列的制备 | 第49-51页 |
| 4.2.1 阵列版图的设计 | 第49-50页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第50-51页 |
| 4.3 压电波形对Ag电极阵列的调控 | 第51-53页 |
| 4.4 阵列性能 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附件 | 第69页 |
