| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 掺氮UNCD薄膜的研究现状 | 第12-23页 |
| 1.2.1 超纳米金刚石薄膜的发展 | 第12页 |
| 1.2.2 MPCVD 法制备超纳米金刚石薄膜的生长机理 | 第12-17页 |
| 1.2.3 UNCD 薄膜的氮掺杂 | 第17-18页 |
| 1.2.4 制备掺氮UNCD薄膜的主要影响因素 | 第18-20页 |
| 1.2.5 掺氮UNCD薄膜的性能 | 第20-23页 |
| 1.3 论文的研究意义及主要研究内容和方法 | 第23-27页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第23-26页 |
| 1.3.2 研究的主要内容和方法 | 第26-27页 |
| 2 阴极制备装置与性能检测技术 | 第27-35页 |
| 2.1 2KW自制MPCVD装置 | 第27-29页 |
| 2.2 掺氮UNCD薄膜的表征方法 | 第29-31页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第29页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第29-30页 |
| 2.2.3 拉曼光谱分析 | 第30页 |
| 2.2.4 电学性能分析 | 第30-31页 |
| 2.3 钨过渡层的沉积装置 | 第31-33页 |
| 2.4 直流场发射性能测试 | 第33页 |
| 2.5 强流脉冲发射性能测试平台 | 第33-35页 |
| 3 平面基底上掺氮UNCD薄膜的工艺优化 | 第35-53页 |
| 3.1 二乙胺通入量的对沉积掺氮UNCD的影响 | 第35-39页 |
| 3.2 沉积压力对制备氮掺杂UNCD薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 3.3 生长温度对制备氮掺杂UNCD薄膜的影响 | 第42-53页 |
| 3.3.1 同一生长温度下不同二乙胺通入量制备掺氮UNCD薄膜 | 第42-46页 |
| 3.3.2 不同生长温度对氮掺杂UNCD薄膜质量的影响 | 第46-53页 |
| 4 石墨-钨-金刚石复合阴极的制备及其强流脉冲发射特性研究 | 第53-65页 |
| 4.1 石墨-钨-金刚石复合阴极的制备 | 第53-54页 |
| 4.1.1 环形石墨阴极预处理 | 第53页 |
| 4.1.2 带刃异形石墨阴极表面钨过渡层的沉积 | 第53-54页 |
| 4.2 石墨-钨-金刚石复合阴极的制备及强流脉冲发射性能 | 第54-65页 |
| 4.2.1 生长时间对制备复合阴极强流脉冲发射性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.2.2 生长功率对制备复合阴极强流脉冲发射性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.3 沉积温度对制备复合阴极强流脉冲发射性能的影响 | 第58-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 | 第75页 |
