尖锥场发射阵列阴极的稳流技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 场致发射的分类及应用 | 第10-13页 |
| 1.2.1 场发射阵列阴极的分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 场发射阵列阴极的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 金属场致发射理论 | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究意义 | 第14-15页 |
| 1.5 课题研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 稳流层的设计与仿真 | 第17-29页 |
| 2.1 稳流层的结构研究与设计 | 第17-21页 |
| 2.1.1 稳流层的结构与原理 | 第17-19页 |
| 2.1.2 稳流层的工作参数 | 第19-20页 |
| 2.1.3 稳流层的材料选择 | 第20-21页 |
| 2.2 稳流层的热应力仿真 | 第21-26页 |
| 2.2.1 模拟仿真设计 | 第21-23页 |
| 2.2.2 仿真实验结果及分析 | 第23-26页 |
| 2.3 稳流层的分析方法 | 第26-27页 |
| 2.3.1 XRD分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2 Raman分析 | 第27页 |
| 2.3.3 电学性能分析 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 稳流层的制备工艺与性能研究 | 第29-45页 |
| 3.1 电子束蒸发法 | 第29-31页 |
| 3.2 稳流层的制备工艺研究 | 第31-37页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第32-34页 |
| 3.2.2 测试电极的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.3 真空退火处理 | 第35-37页 |
| 3.3 制备参数对非晶硅薄膜性能的影响 | 第37-42页 |
| 3.3.1 蒸发功率的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2 基底温度的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 退火对非晶硅薄膜性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.1 退火温度的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.2 退火时间的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 FEA的制备工艺与性能研究 | 第45-55页 |
| 4.1 Spindt型场发射阴极结构 | 第45-46页 |
| 4.2 Spindt型阴极的制备工艺 | 第46-50页 |
| 4.2.1 牺牲层制备与剥离工艺 | 第48-49页 |
| 4.2.2 尖锥的制备工艺 | 第49页 |
| 4.2.3 尖锥后处理工艺 | 第49-50页 |
| 4.3 制备工艺对尖锥形貌的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.1 空腔处理工艺对尖锥形貌的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.2 阴极制备参数对尖锥形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 场发射阵列阴极的性能测试 | 第55-62页 |
| 5.1 场发射测试系统 | 第55-57页 |
| 5.2 场发射阴极的性能测试 | 第57-59页 |
| 5.2.1 老练处理 | 第57-58页 |
| 5.2.2 阴极的场发射测试 | 第58-59页 |
| 5.3 稳流层效果分析 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62页 |
| 6.2 工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
