摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 石墨烯的结构及性能 | 第12-17页 |
1.2.1 石墨烯的结构 | 第12-14页 |
1.2.2 石墨烯的电学性质 | 第14-15页 |
1.2.3 石墨烯的力学与热学性质 | 第15-16页 |
1.2.4 石墨烯的光学特性 | 第16-17页 |
1.3 石墨烯的应用前景 | 第17-19页 |
1.3.1 石墨烯储能材料 | 第17-18页 |
1.3.2 石墨烯基电子材料 | 第18页 |
1.3.3 石墨烯复合材料 | 第18-19页 |
1.3.4 其他应用 | 第19页 |
1.4 石墨烯的制备方法 | 第19-24页 |
1.4.1 微机械剥离法 | 第19-20页 |
1.4.2 化学氧化还原法 | 第20-21页 |
1.4.3 碳化硅外延生长法 | 第21页 |
1.4.4 化学气相沉积法 | 第21-24页 |
1.4.5 其他制备方法 | 第24页 |
1.5 本论文的研究意义和研究内容 | 第24-27页 |
1.5.1 本文的研究意义 | 第24-25页 |
1.5.2 本文的研究内容 | 第25-27页 |
第二章 实验材料与方法 | 第27-37页 |
2.1 实验原理 | 第27页 |
2.2 实验材料 | 第27-28页 |
2.3 实验设备 | 第28页 |
2.4 石墨烯的制备工艺 | 第28-30页 |
2.5 石墨烯的表征方法 | 第30-37页 |
2.5.1 表面轮廓仪 | 第30-31页 |
2.5.2 拉曼光谱 | 第31-33页 |
2.5.3 扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
2.5.4 能谱散射光谱 | 第34页 |
2.5.5 透射电子显微镜 | 第34-37页 |
第三章 SiO_2/Si衬底上CVD生长石墨烯的研究 | 第37-55页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 SiO_2/Si衬底上石墨烯的制备 | 第37-39页 |
3.3 石墨烯的表征及结果分析 | 第39-52页 |
3.3.1 升温方式对石墨烯生长的影响 | 第39-44页 |
3.3.2 冷却速率对石墨烯生长的影响 | 第44-46页 |
3.3.3 Ni膜厚度对石墨烯生长的影响 | 第46-49页 |
3.3.4 生长时间对石墨烯生长的影响 | 第49-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-55页 |
第四章 石英衬底上CVD生长石墨烯的研究 | 第55-75页 |
4.1 引言 | 第55-56页 |
4.2 石英衬底上石墨烯的制备 | 第56-58页 |
4.3 石墨烯的表征及结果分析 | 第58-72页 |
4.3.1 参照实验 | 第58-59页 |
4.3.2 升温方式对石墨烯生长的影响 | 第59-62页 |
4.3.3 冷却速率对石墨烯生长的影响 | 第62-65页 |
4.3.4 Ni膜厚度对石墨烯生长的影响 | 第65-68页 |
4.3.5 生长时间对石墨烯生长的影响 | 第68-72页 |
4.4 本章小结 | 第72-75页 |
第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
5.1 结论 | 第75-76页 |
5.2 展望 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-87页 |
附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第87页 |