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绝缘衬底上石墨烯的制备及表征

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 石墨烯的结构及性能第12-17页
        1.2.1 石墨烯的结构第12-14页
        1.2.2 石墨烯的电学性质第14-15页
        1.2.3 石墨烯的力学与热学性质第15-16页
        1.2.4 石墨烯的光学特性第16-17页
    1.3 石墨烯的应用前景第17-19页
        1.3.1 石墨烯储能材料第17-18页
        1.3.2 石墨烯基电子材料第18页
        1.3.3 石墨烯复合材料第18-19页
        1.3.4 其他应用第19页
    1.4 石墨烯的制备方法第19-24页
        1.4.1 微机械剥离法第19-20页
        1.4.2 化学氧化还原法第20-21页
        1.4.3 碳化硅外延生长法第21页
        1.4.4 化学气相沉积法第21-24页
        1.4.5 其他制备方法第24页
    1.5 本论文的研究意义和研究内容第24-27页
        1.5.1 本文的研究意义第24-25页
        1.5.2 本文的研究内容第25-27页
第二章 实验材料与方法第27-37页
    2.1 实验原理第27页
    2.2 实验材料第27-28页
    2.3 实验设备第28页
    2.4 石墨烯的制备工艺第28-30页
    2.5 石墨烯的表征方法第30-37页
        2.5.1 表面轮廓仪第30-31页
        2.5.2 拉曼光谱第31-33页
        2.5.3 扫描电子显微镜第33-34页
        2.5.4 能谱散射光谱第34页
        2.5.5 透射电子显微镜第34-37页
第三章 SiO_2/Si衬底上CVD生长石墨烯的研究第37-55页
    3.1 引言第37页
    3.2 SiO_2/Si衬底上石墨烯的制备第37-39页
    3.3 石墨烯的表征及结果分析第39-52页
        3.3.1 升温方式对石墨烯生长的影响第39-44页
        3.3.2 冷却速率对石墨烯生长的影响第44-46页
        3.3.3 Ni膜厚度对石墨烯生长的影响第46-49页
        3.3.4 生长时间对石墨烯生长的影响第49-52页
    3.4 本章小结第52-55页
第四章 石英衬底上CVD生长石墨烯的研究第55-75页
    4.1 引言第55-56页
    4.2 石英衬底上石墨烯的制备第56-58页
    4.3 石墨烯的表征及结果分析第58-72页
        4.3.1 参照实验第58-59页
        4.3.2 升温方式对石墨烯生长的影响第59-62页
        4.3.3 冷却速率对石墨烯生长的影响第62-65页
        4.3.4 Ni膜厚度对石墨烯生长的影响第65-68页
        4.3.5 生长时间对石墨烯生长的影响第68-72页
    4.4 本章小结第72-75页
第五章 结论与展望第75-77页
    5.1 结论第75-76页
    5.2 展望第76-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-87页
附录 攻读硕士学位期间发表论文目录第87页

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