微波固态宽带放大器
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 半导体材料的发展动态 | 第10-11页 |
| 1.2 主要功放指标 | 第11-13页 |
| 1.3 功率放大器的分类 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 1.5 小结 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN HEMT发展动态与特性 | 第16-26页 |
| 2.1 国内外GaN HEMT器件研究进展 | 第16-19页 |
| 2.2 GaN HEMT器件特性 | 第19-25页 |
| 2.2.1 GaN材料的优势分析 | 第19-20页 |
| 2.2.2 GaN HEMT器件 | 第20-22页 |
| 2.2.3 梳理GaN HEMT器件问题 | 第22-25页 |
| 2.3 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 微波功率放大器技术理论简述 | 第26-46页 |
| 3.1 微波晶体管基础知识 | 第26-29页 |
| 3.1.1 双极型晶体管（BJT） | 第26-27页 |
| 3.1.2 场效应晶体管（FET） | 第27页 |
| 3.1.3 高电子迁移率晶体管（HEMT） | 第27-29页 |
| 3.2 功率放大器的S参数模型 | 第29-30页 |
| 3.3 偏置电路设计 | 第30-31页 |
| 3.4 稳定性分析 | 第31-33页 |
| 3.5 放大器稳定措施 | 第33-34页 |
| 3.6 GaN HEMT信号模型简述 | 第34-39页 |
| 3.6.1 小信号参数模型简述 | 第34-36页 |
| 3.6.2 大信号等效电路模型 | 第36-39页 |
| 3.7 简述最佳阻抗的获取方法 | 第39-41页 |
| 3.8 阻抗匹配 | 第41-45页 |
| 3.8.1 宽带放大器技术 | 第41-42页 |
| 3.8.2 阻抗变换技术简介 | 第42-45页 |
| 3.9 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 放大器的设计与实现 | 第46-64页 |
| 4.1 流程设计 | 第46页 |
| 4.2 设计目标 | 第46-47页 |
| 4.3 设计实现 | 第47-59页 |
| 4.3.1 ADS简述 | 第47页 |
| 4.3.2 板材选择 | 第47页 |
| 4.3.3 晶体管及其静态工作点的选择设计 | 第47-50页 |
| 4.3.4 偏置电路设计 | 第50页 |
| 4.3.5 稳定性 | 第50-54页 |
| 4.3.6 负载牵引获得阻抗 | 第54-56页 |
| 4.3.7 匹配网络的设计 | 第56-59页 |
| 4.4 放大器的实现与测试 | 第59-63页 |
| 4.4.1 测试系统 | 第59-60页 |
| 4.4.2 放大器的测试 | 第60-63页 |
| 4.5 小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
