| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 晶硅异质结太阳电池简介 | 第8-10页 |
| 1.3 晶硅异质结太阳电池的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 本征 a-SiOx:H 薄膜钝化晶硅表面的研究 | 第15-32页 |
| 2.1 本征钝化薄膜的作用机制及研究进展 | 第15-16页 |
| 2.2 实验方法 | 第16-20页 |
| 2.2.1 PECVD 沉积非晶硅薄膜 | 第16-17页 |
| 2.2.2 表征方法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 硅片清洗预处理 | 第18-19页 |
| 2.2.4 本征钝化薄膜的制备与测试 | 第19-20页 |
| 2.3 氧对于本征 a-Si:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第20-22页 |
| 2.3.1 沉积时间对本征 a-Si:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第20-21页 |
| 2.3.2 PECVD 中残留氧对本征 a-Si:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第21页 |
| 2.3.3 本征 a-Si:H 薄膜与 a-SiO_x:H 薄膜连续炉次沉积的影响 | 第21-22页 |
| 2.4 本征 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的研究 | 第22-31页 |
| 2.4.1 CO_2/SiH_4流量比对 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第22-24页 |
| 2.4.2 氢稀释比对 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第24-26页 |
| 2.4.3 射频功率对 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第26-28页 |
| 2.4.4 沉积气压对 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的影响 | 第28-30页 |
| 2.4.5 最优工艺参数的本征 a-SiO_x:H 薄膜钝化晶硅表面的分析 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 双层发射极结构的晶硅异质结太阳电池的设计与模拟优化 | 第32-40页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.1.1 梯度掺杂太阳电池的研究现状 | 第32-33页 |
| 3.1.2 AFORS-HET 模拟软件介绍 | 第33页 |
| 3.2 双层发射极结构的晶硅异质结太阳电池的设计与物理模型 | 第33-35页 |
| 3.3 双层发射极结构的晶硅异质结太阳电池的模拟优化 | 第35-39页 |
| 3.3.1 SLE-SHJ 与 DLE-SHJ 太阳电池发射极掺杂浓度的优化 | 第35-36页 |
| 3.3.2 最优的 SLE-SHJ 与 DLE-SHJ 太阳电池性能对比 | 第36-37页 |
| 3.3.3 SLE-SHJ 与 DLE-SHJ 太阳电池的能带结构分析 | 第37-38页 |
| 3.3.4 发射极掺杂浓度对 TCO 与掺杂 a-Si:H(n)接触电阻的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 SLE-SHJ 太阳电池与 DLE-SHJ 太阳电池的制备 | 第40-53页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验方法 | 第40-44页 |
| 4.2.1 表征方法 | 第40-41页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第41-44页 |
| 4.3 SLE-SHJ 太阳电池的制备 | 第44-46页 |
| 4.3.1 背场结构对 SLE-SHJ 太阳电池性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2 n 型掺杂 a-Si:H 掺杂浓度的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 DLE-SHJ 太阳电池发射极掺杂浓度的优化 | 第46-49页 |
| 4.4.1 重掺杂层掺杂浓度不变时，浅掺杂层掺杂浓度变化的影响 | 第47-48页 |
| 4.4.2 浅掺杂层掺杂浓度不变时，重掺杂层掺杂浓度变化的影响 | 第48-49页 |
| 4.5 SLE-SHJ 太阳电池和 DLE-SHJ 太阳电池的性能对比 | 第49-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 总结 | 第53-55页 |
| 5.1 主要的研究结论 | 第53-54页 |
| 5.2 本文创新之处 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第62页 |
