摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-20页 |
1.1 二氧化钛的半导体特征与晶体缺陷 | 第9-13页 |
1.1.1 二氧化钛的半导体特征 | 第9-11页 |
1.1.2 二氧化钛的晶体缺陷 | 第11-13页 |
1.2 二氧化钛在敏化太阳能电池中的应用 | 第13-17页 |
1.2.1 染料敏化太阳能电池的工作原理 | 第13-14页 |
1.2.3 二氧化钛在 DSSC 中的电子输运性质 | 第14-17页 |
1.3 课题的提出、背景和研究内容 | 第17-20页 |
1.3.1 课题的提出 | 第17-18页 |
1.3.2 氧空位的研究背景 | 第18-19页 |
1.3.3 研究内容 | 第19-20页 |
2 实验原料和方法 | 第20-28页 |
2.1 实验试剂及设备 | 第20-21页 |
2.1.1 实验试剂 | 第20-21页 |
2.1.2 主要仪器设备 | 第21页 |
2.2 二氧化钛薄膜的制备与表征方法 | 第21-25页 |
2.2.1 二氧化钛薄膜的三种制备方法 | 第21-25页 |
2.2.2 二氧化钛薄膜的表征 | 第25页 |
2.3 太阳能电池的组装与光电性能表征 | 第25-28页 |
2.3.1 染料敏化太阳能电池的组装 | 第25-26页 |
2.3.2 染料敏化太阳能电池的性能表征 | 第26-28页 |
3 二氧化钛薄膜表征 | 第28-39页 |
3.1 二氧化钛晶体结构表征 | 第28-30页 |
3.2 微观形貌表征 | 第30-33页 |
3.3 氧空位含量表征 | 第33-37页 |
3.4 不同二氧化钛吸收光谱 | 第37-38页 |
3.5 总结 | 第38-39页 |
4 二氧化钛在敏化太阳能电池中的电子传输 | 第39-48页 |
4.1 电化学阻抗(EIS)分析 | 第39-44页 |
4.2 强度调制光电流/光电压谱(IMPS/IMVS)分析 | 第44-47页 |
4.3 结论 | 第47-48页 |
5 二氧化钛光电极光电转换性能 | 第48-53页 |
5.1 染料敏化太阳能电池的光电转换性能评价参数 | 第48页 |
5.2 不同二氧化钛薄膜的染料吸附量 | 第48-49页 |
5.3 光电流与电子利用率 | 第49-50页 |
5.4 光电压与晶体缺陷 | 第50-51页 |
5.5 光电转换效率 | 第51-52页 |
5.6 本章小结 | 第52-53页 |
6 结论与展望 | 第53-55页 |
6.1 结论 | 第53页 |
6.2 展望 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-58页 |