| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 OFET 器件简介 | 第9-10页 |
| 1.3 有机半导体传输材料简介 | 第10-14页 |
| 1.3.1 典型的空穴型有机小分子传输材料 | 第11-12页 |
| 1.3.2 典型的电子型有机小分子传输材料 | 第12-13页 |
| 1.3.3 典型的双极性型有机小分子传输材料 | 第13-14页 |
| 1.4 材料堆积模式对载流子传输的影响 | 第14-15页 |
| 1.5 研究目的及内容 | 第15-16页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第16-21页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第16页 |
| 2.2 有机半导体传输计算理论模型 | 第16-20页 |
| 2.2.1 能带模型 | 第16-17页 |
| 2.2.2 小极化子模型 | 第17页 |
| 2.2.3 跳跃模型 | 第17-20页 |
| 2.3 晶体预测方法简介 | 第20-21页 |
| 2.3.1 晶体结构预测的一般步骤 | 第20页 |
| 2.3.2 晶体结构预测软件介绍 | 第20-21页 |
| 第3章 理论讨论卤素、氰基及嵌 N 等修饰对四硫富瓦烯衍生物传输的影响 | 第21-34页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 体系选择 | 第21-22页 |
| 3.3 理论计算方法 | 第22-23页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第23-32页 |
| 3.4.1 分子几何 | 第23页 |
| 3.4.2 分子重组能 | 第23-25页 |
| 3.4.3 前线分子轨道 | 第25-26页 |
| 3.4.4 分子间电荷转移积分及分子晶体迁移率 | 第26-28页 |
| 3.4.5 分子间弱相互作用 | 第28-30页 |
| 3.4.6 能带结构 | 第30-32页 |
| 3.5 总结 | 第32-34页 |
| 第4章 理论探讨氟代和羰基化对四噻吩体系电子传输性质的影响 | 第34-49页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 体系选择 | 第35-36页 |
| 4.3 理论计算方法 | 第36-37页 |
| 4.4 几何优化 | 第37-40页 |
| 4.5 结果与讨论 | 第40-47页 |
| 4.5.1 前线分子轨道 | 第40-43页 |
| 4.5.2 电子亲核势和电子重组能 | 第43页 |
| 4.5.3 电子传输转移积分、静电势分布与迁移率 | 第43-46页 |
| 4.5.4 能带结构 | 第46-47页 |
| 4.6 总结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第59页 |