| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 太阳电池的原理 | 第12-14页 |
| 1.1.1 基本原理 | 第12-13页 |
| 1.1.2 基本参数 | 第13-14页 |
| 1.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜材料太阳电池的基本性质 | 第14-17页 |
| 1.2.1 CZTS 薄膜材料基本性质 | 第14-15页 |
| 1.2.2 CZTS 太阳电池基本结构 | 第15-17页 |
| 1.3 半导体异质结的基本介绍 | 第17-21页 |
| 1.3.1 异质结对齐类型 | 第17-18页 |
| 1.3.2 异质结能带偏移计算方法 | 第18-20页 |
| 1.3.3 影响半导体异质结结构的因素 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文研究工作及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 太阳电池的制备技术和性能表征手段 | 第23-35页 |
| 2.1 太阳电池材料的制备技术 | 第23-28页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第23-26页 |
| 2.1.2 其它几种制备 CZTS 的方法 | 第26-28页 |
| 2.2 性能表征手段 | 第28-35页 |
| 2.2.1 X 射线衍射谱（XRD） | 第28-30页 |
| 2.2.2 X 射线能量色散谱（EDS） | 第30页 |
| 2.2.3 X 射线光电子能谱（XPS） | 第30-32页 |
| 2.2.4 紫外-可见吸收光谱 | 第32-33页 |
| 2.2.5 拉曼光谱 | 第33-35页 |
| 第三章 Cu_2ZnSnS_4基太阳电池吸收层、缓冲层、窗口层的制备及其性能的研究 | 第35-48页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 吸收层 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备及表征 | 第35-40页 |
| 3.2.1 吸收层 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 吸收层 Cu_2ZnSnS_4薄膜的表征 | 第36-40页 |
| 3.3 缓冲层 CdS 薄膜的制备及表征 | 第40-45页 |
| 3.3.1 缓冲层 CdS 薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.3.2 缓冲层 CdS 薄膜的表征 | 第41-45页 |
| 3.4 窗口层 ZnO 薄膜的制备及表征 | 第45-46页 |
| 3.4.1 窗口层 ZnO 薄膜的制备 | 第45页 |
| 3.4.2 窗口层 ZnO 薄膜的表征 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 Cu_2ZnSnS_4/CdS/ZnO 界面间异质结能带偏移 | 第48-59页 |
| 4.1 前言 | 第48-49页 |
| 4.2 CZTS/CdS 异质结与 CdS/ZnO 异质结制备 | 第49-50页 |
| 4.3 CZTS/CdS 异质结与 CdS/ZnO 异质结能带偏移问题 | 第50-58页 |
| 4.3.1 CZTS/CdS 异质结与 CdS/ZnO 异质结价带阶的测定和计算 | 第50-57页 |
| 4.3.2 CZTS/CdS 异质结与 CdS/ZnO 异质结理论计算 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 论文总结及研究展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
