常压低温等离子体沉积多孔硅基纳米颗粒薄膜的过程研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·前言 | 第13-17页 |
| ·研究硅基薄膜的重要意义 | 第13-15页 |
| ·硅基发光材料的研究发展 | 第15-17页 |
| ·等离子体化学气相沉积 | 第17-24页 |
| ·等离子体概念 | 第17-18页 |
| ·等离子辅助化学气相沉积技术 | 第18-19页 |
| ·等离子体化学气相沉积理论 | 第19-21页 |
| ·近年来PECVD硅基薄膜研究成果 | 第21-24页 |
| ·论文内容及创新 | 第24-27页 |
| ·论文的结构 | 第25页 |
| ·本实验的创新 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设计与设备优化 | 第27-33页 |
| ·等离子体化学气相沉积薄膜实验 | 第27-31页 |
| ·实验装置与优化 | 第27-30页 |
| ·制样方法与过程 | 第30-31页 |
| ·测试手段 | 第31-32页 |
| ·表面物理形态 | 第31页 |
| ·常压介质阻挡放电参量的测定 | 第31页 |
| ·膜的化学结构 | 第31-32页 |
| ·电学特性分析 | 第32页 |
| ·多孔硅基薄膜的发光特性的研究 | 第32-33页 |
| 第三章 等离子化学气相沉积放电过程的研究 | 第33-49页 |
| ·阻挡放电的特征 | 第33-37页 |
| ·丝状放电 | 第33-35页 |
| ·大气压辉光放电 | 第35-37页 |
| ·介质阻挡放电的物理过程 | 第37-38页 |
| ·介质表面电荷对后续放电的影响 | 第38-39页 |
| ·介质阻挡放电特性分析 | 第39-46页 |
| ·等离子体电学参数的测定 | 第39-46页 |
| ·等离子体发射光谱 | 第46-48页 |
| ·光谱诊断装置及测量方法 | 第46-47页 |
| ·等离子体发射光谱结果分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 常压等离子体沉积硅基薄膜的表征 | 第49-57页 |
| ·纳米硅基薄膜的表面形貌 | 第49-50页 |
| ·硅烷流量对薄膜沉积的影响 | 第50页 |
| ·衬底偏压对薄膜的表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·不同占空比对薄膜的表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| ·红外光谱的测量 | 第52-53页 |
| ·拉曼光谱的测量 | 第53-54页 |
| ·半导体光电特性的测量 | 第54-55页 |
| ·薄膜沉积速率 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 多孔硅基薄膜的微结构及其发光特性的研究 | 第57-63页 |
| ·纳米多孔硅基薄膜的红光区光致发光 | 第58-59页 |
| ·光致发光强度影响因素的讨论 | 第59-61页 |
| ·偏压对发光强度的影响 | 第59-60页 |
| ·退火对发光强度的影响 | 第60-61页 |
| ·荧光的产生机理分析和探讨 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
