| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 量子点的基本理论 | 第10-12页 |
| 1.3 氮化物量子点的研究背景 | 第12-13页 |
| 1.3.1 GaN量子点的应用 | 第12页 |
| 1.3.2 InGaN量子点的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 氮化物量子点的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4.1 GaN量子点的研究进展 | 第13页 |
| 1.4.2 InGaN量子点的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.5 选题意义和研究内容 | 第15-17页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第15-16页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 MOCVD系统及半导体表征手段 | 第17-29页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 MOCVD外延生长系统 | 第17-21页 |
| 2.2.1 MOCVD系统构成 | 第17-21页 |
| 2.2.2 MOCVD材料生长机理 | 第21页 |
| 2.3 异质外延的生长模式 | 第21-22页 |
| 2.4 InGaN量子点的自组装生长 | 第22-24页 |
| 2.5 半导体材料的表征方法 | 第24-29页 |
| 2.5.1 高分辨X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.5.2 光致发光 | 第25-26页 |
| 2.5.3 原子力显微镜 | 第26-29页 |
| 第三章 InGaN量子点的形成过程及光学性质研究 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 样品制备与表征 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-38页 |
| 3.3.1 HRXRD分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 AFM表面形貌分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 变功率PL分析 | 第32-35页 |
| 3.3.4 变温PL分析 | 第35-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-41页 |
| 第四章 应变调控多层InGaN量子点的结构及光学性质 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 样品制备与表征 | 第41-42页 |
| 4.3 测试结果与讨论 | 第42-49页 |
| 4.3.1 AFM表面形貌分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 变功率PL分析 | 第43-45页 |
| 4.3.3 变温PL分析 | 第45-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 结论 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第65页 |