| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 纳米晶软磁材料 | 第16-20页 |
| 1.2.1 纳米晶软磁材料的发展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 纳米晶软磁材料的优势 | 第17-18页 |
| 1.2.2.1 纳米晶软磁材料的制备优势 | 第17页 |
| 1.2.2.2 纳米晶软磁材料的性能优势 | 第17-18页 |
| 1.2.3 纳米晶软磁材料磁学性能的物理起源 | 第18-20页 |
| 1.3 关键问题研究现状 | 第20-25页 |
| 1.3.1 微磁学计算研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3.2 宏观磁化特性研究现状 | 第22-24页 |
| 1.3.3 介观磁化特性研究现状 | 第24-25页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 纳米晶合金材料微磁学计算模型 | 第27-40页 |
| 2.1 微磁学计算中的各种能量项 | 第27-30页 |
| 2.1.1 总吉布斯自由能 | 第27页 |
| 2.1.2 交换作用能 | 第27-28页 |
| 2.1.3 磁晶各向异性能 | 第28-29页 |
| 2.1.4 退磁能 | 第29-30页 |
| 2.1.5 塞曼能 | 第30页 |
| 2.2 磁化强度进动方程 | 第30-31页 |
| 2.3 微磁学计算软件OOMMF | 第31-33页 |
| 2.3.1 模拟涉及的主要操作界面 | 第31-32页 |
| 2.3.2 建模涉及的主要功能模块 | 第32-33页 |
| 2.4 纳米晶合金微磁学计算模型的构建 | 第33-39页 |
| 2.4.1 模型构建步骤及计算流程 | 第33-34页 |
| 2.4.2 纳米晶合金球状介观结构模型 | 第34-36页 |
| 2.4.3 模型静态特性参数的计算与对比 | 第36-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 高频饱和机理介观层面定量分析 | 第40-53页 |
| 3.1 纳米晶合金材料高频磁化进程模拟 | 第40-41页 |
| 3.2 磁矩偏转角速度的定义 | 第41-43页 |
| 3.3 磁化频率、附加偏置磁场对磁矩偏转角速度的影响 | 第43-50页 |
| 3.3.1 两种高频饱和磁场的定量界定 | 第43-44页 |
| 3.3.2 动态饱和磁场作用 | 第44-47页 |
| 3.3.3 静态饱和磁场作用 | 第47-50页 |
| 3.4 晶粒尺寸对磁矩偏转角速度的影响 | 第50-52页 |
| 3.4.1 动态饱和磁场作用 | 第50-51页 |
| 3.4.2 静态饱和磁场作用 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 高频饱和机理宏观层面定量分析 | 第53-63页 |
| 4.1 两个宏观磁特性参数的计算 | 第53-55页 |
| 4.1.1 复数磁导率的计算 | 第53-54页 |
| 4.1.2 磁化速率的计算 | 第54-55页 |
| 4.2 磁场频率对宏观高频饱和特性的影响 | 第55-57页 |
| 4.2.1 磁场频率对复数磁导率的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.2 磁场频率对磁化速率的影响 | 第56-57页 |
| 4.3 附加直流偏置磁场对宏观饱和特性的影响 | 第57-61页 |
| 4.3.1 直流偏置磁场对复数磁导率的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.2 直流偏置磁场对磁化速率的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 介观/宏观层面计算结果对比 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |