| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 文献综述 | 第11-35页 |
| 1.1 光学器件用薄膜材料简介 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO薄膜材料及其应用现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 ZnO的性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO薄膜材料在光学器件中的应用 | 第13-18页 |
| 1.2.3 ZnO薄膜材料在其他领域的应用 | 第18-19页 |
| 1.3 Mg(OH)_2薄膜材料及其应用现状 | 第19-23页 |
| 1.3.1 Mg(OH)_2的性质 | 第19-20页 |
| 1.3.2 Mg(OH)_2薄膜材料在光学器件中的应用 | 第20-22页 |
| 1.3.3 Mg(OH)_2薄膜材料在其他领域的应用 | 第22-23页 |
| 1.4 薄膜材料的制备方法与发展趋势 | 第23-24页 |
| 1.5 ZnO薄膜材料的制备 | 第24-28页 |
| 1.5.1 喷雾热分解法 | 第24页 |
| 1.5.2 化学气相沉积法 | 第24-25页 |
| 1.5.3 水(溶剂)热法 | 第25页 |
| 1.5.4 溶胶-凝胶法 | 第25-26页 |
| 1.5.5 化学浴沉积法 | 第26页 |
| 1.5.6 连续离子层吸附反应法 | 第26-27页 |
| 1.5.7 电化学沉积法 | 第27-28页 |
| 1.6 Mg(OH)_2薄膜材料的制备 | 第28-33页 |
| 1.6.1 氧化反应 | 第28页 |
| 1.6.2 沉淀法 | 第28-31页 |
| 1.6.3 水(溶剂)热法 | 第31-32页 |
| 1.6.4 溶胶凝胶法 | 第32页 |
| 1.6.5 化学浴沉积法 | 第32-33页 |
| 1.6.6 电化学沉积法 | 第33页 |
| 1.7 论文研究目标、内容与方案 | 第33-35页 |
| 2 SnO_2基底的特性及电化学行为 | 第35-43页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 SnO_2基底的表征 | 第35-37页 |
| 2.2.1 表面形貌 | 第35页 |
| 2.2.2 元素含量 | 第35-36页 |
| 2.2.3 物相测试 | 第36-37页 |
| 2.2.4 光学性质 | 第37页 |
| 2.3 SnO_2电极的电化学测试 | 第37-42页 |
| 2.3.1 热力学分析 | 第37-38页 |
| 2.3.2 CV测试 | 第38-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 3 ZnO薄膜的电沉积制备与表征 | 第43-77页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 实验 | 第43-44页 |
| 3.2.1 实验仪器及设备 | 第43页 |
| 3.2.2 ZnO薄膜的电沉积制备 | 第43页 |
| 3.2.3 表征方法 | 第43-44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-76页 |
| 3.3.1 热力学分析 | 第44-48页 |
| 3.3.2 电化学行为研究 | 第48-56页 |
| 3.3.3 电极过程 | 第56-63页 |
| 3.3.4 ZnO薄膜制备的影响因素研究 | 第63-68页 |
| 3.3.5 ZnO薄膜的生长 | 第68-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 4 低温下ZnO薄膜的钝化机理研究 | 第77-91页 |
| 4.1 引言 | 第77页 |
| 4.2 低温下ZnO薄膜钝化现象研究现状 | 第77-81页 |
| 4.2.1 钝化膜的成分及成因 | 第77-79页 |
| 4.2.2 现有研究存在的问题 | 第79-80页 |
| 4.2.3 研究的必要性 | 第80-81页 |
| 4.3 实验 | 第81-83页 |
| 4.3.1 实验条件 | 第81页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第81-83页 |
| 4.4 钝化机理分析 | 第83-90页 |
| 4.4.1 导致钝化的因素分析 | 第84-85页 |
| 4.4.2 氢氧根离子对络合物分布的影响 | 第85-86页 |
| 4.4.3 氢氧根离子对热力学稳定区的影响 | 第86-87页 |
| 4.4.4 电极表面电荷分析 | 第87-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 5 室温下Mg(OH)_2薄膜的电沉积制备及表征 | 第91-108页 |
| 5.1 引言 | 第91页 |
| 5.2 实验 | 第91-92页 |
| 5.2.1 实验仪器及设备 | 第91页 |
| 5.2.2 Mg(OH)_2薄膜的电沉积制备 | 第91页 |
| 5.2.3 表征方法 | 第91-92页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第92-107页 |
| 5.3.1 电化学行为研究 | 第92-94页 |
| 5.3.2 薄膜测试与表征 | 第94-107页 |
| 5.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 6 Mg(OH)_2薄膜电沉积过程的晶体生长机理 | 第108-119页 |
| 6.1 引言 | 第108页 |
| 6.2 电沉积Mg(OH)_2晶体结构分析 | 第108-110页 |
| 6.2.1 (001)晶面 | 第109页 |
| 6.2.2 (011)晶面 | 第109-110页 |
| 6.3 生长机理 | 第110-115页 |
| 6.3.1 Mg(OH)_2表面能第一性原理计算 | 第111-113页 |
| 6.3.2 水溶液中Mg(OH)_2的生长机理 | 第113-115页 |
| 6.4 生长模型 | 第115-118页 |
| 6.5 本章小结 | 第118-119页 |
| 7 结论与展望 | 第119-123页 |
| 7.1 主要结论 | 第119-121页 |
| 7.2 展望与建议 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-136页 |
| 攻读学位期间主要研究成果 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137页 |