| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 锑化物基半导体激光器的研究背景 | 第11-14页 |
| 1.2 锑化物基半导体激光器的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 改善半导体激光器发散角的方法 | 第17-26页 |
| 1.4 论文的选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 锑化物量子阱激光器材料基本特性 | 第28-43页 |
| 2.1 材料的晶格常数 | 第30-33页 |
| 2.2 带隙宽度 | 第33-37页 |
| 2.3 折射率 | 第37-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 布拉格反射波导理论分析 | 第43-66页 |
| 3.1 布拉格反射波导的理论模型 | 第44-50页 |
| 3.2 有限周期高折率中心层布拉格反射波导的传输特性 | 第50-54页 |
| 3.3 分布布拉格反射镜的光学特性分析 | 第54-57页 |
| 3.4 GaSb基布拉格反射波导激光器的优化设计 | 第57-63页 |
| 3.5 GaSb基布拉格反射波导激光器制备 | 第63-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 GaSb基半导体激光器的设计与制备 | 第66-88页 |
| 4.1 半导体激光器的基本特性 | 第66-69页 |
| 4.2 半导体激光器的功率效率 | 第69-71页 |
| 4.3 半导体激光器的模式特性与远场特性 | 第71-74页 |
| 4.4 GaSb基半导体激光器的制备 | 第74-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 低侧向发散角宽区波导半导体激光器研究 | 第88-106页 |
| 5.1 低侧向发散角GaAs基布拉格反射波导激光器 | 第89-97页 |
| 5.2 低侧向发散角GaSb基半导体激光器 | 第97-105页 |
| 5.3 本章小结 | 第105-106页 |
| 第6章 结论与展望 | 第106-109页 |
| 6.1 结论 | 第106-107页 |
| 6.2 研究展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-120页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第120-122页 |
| 指导老师简介 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123页 |