| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 铁电材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 铁电存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 HfO_2基铁电薄膜的应用价值 | 第12-14页 |
| 1.4 HfO_2基薄膜的铁电性研究现状 | 第14-20页 |
| 1.4.1 HfO_2基薄膜铁电性的来源 | 第14-15页 |
| 1.4.2 顶电极机械夹持应力对HfO_2基薄膜铁电性的影响 | 第15-16页 |
| 1.4.3 薄膜厚度对HfO_2基薄膜铁电性的影响 | 第16页 |
| 1.4.4 掺杂元素对HfO_2基薄膜铁电性的影响 | 第16-18页 |
| 1.4.5 HfO_2基薄膜电学性能 | 第18-20页 |
| 2 测试设备与样品 | 第20-35页 |
| 2.1 测试设备简介 | 第20-22页 |
| 2.1.1 液氦/液氮制冷型低温真空探针台 | 第20-21页 |
| 2.1.2 TF Analyzer 2000E铁电分析仪 | 第21-22页 |
| 2.2 实验原理 | 第22-29页 |
| 2.2.1 动态电滞回线测试(DHM)原理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 PUND测试原理 | 第24-27页 |
| 2.2.3 疲劳测试原理 | 第27-28页 |
| 2.2.4 小信号电容C-V测试原理 | 第28-29页 |
| 2.3 样品制备 | 第29-35页 |
| 2.3.1 样品制备 | 第29-31页 |
| 2.3.2 样品选择 | 第31-35页 |
| 3 Si掺杂HfO_2铁电薄膜的极化反转特性 | 第35-46页 |
| 3.1 低场区瑞利行为 | 第36-42页 |
| 3.2 中场下的极化反转特性 | 第42-43页 |
| 3.3 高场区的极化反转动力学 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 Si掺杂HfO_2铁电薄膜的耐久性 | 第46-64页 |
| 4.1 wake-up效应 | 第47-55页 |
| 4.2 疲劳特性 | 第55-63页 |
| 4.2.1 疲劳机制总结 | 第56-58页 |
| 4.2.2 疲劳特性与反转电压的关系 | 第58-59页 |
| 4.2.3 疲劳特性与反转频率的关系 | 第59-61页 |
| 4.2.4 疲劳特性与测试温度的关系 | 第61-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
