| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| 1.1 信息存储材料的概况 | 第11-12页 |
| 1.1.1 引言 | 第11页 |
| 1.1.2 信息存储材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.2 有机电存储材料的基础 | 第12-19页 |
| 1.2.1 引言 | 第12页 |
| 1.2.2 有机电存储材料的器件结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 有机电存储材料的存储类型 | 第13-14页 |
| 1.2.4 有机电存储材料的种类 | 第14-17页 |
| 1.2.5 有机电存储器件的制备工艺 | 第17-19页 |
| 1.3 有机半导体器件的界面 | 第19-32页 |
| 1.3.1 引言 | 第19页 |
| 1.3.2 载流子的注入模型 | 第19-21页 |
| 1.3.3 底电极ITO基底的修饰 | 第21-25页 |
| 1.3.4 功能层内堆积的改善与调控 | 第25-28页 |
| 1.3.5 功能层与金属电极间界面调节 | 第28-32页 |
| 1.4 本论文的目的意义及研究内容 | 第32-36页 |
| 1.4.1 本论文选题的目的和意义 | 第32-33页 |
| 1.4.2 本论文的研究内容 | 第33-34页 |
| 1.4.3 本论文的创新点 | 第34-36页 |
| 第二章 膦酸分子修饰ITO基底表界面对电存储器件性能的影响 | 第36-51页 |
| 2.1 引言 | 第36-38页 |
| 2.2 实验部分 | 第38-42页 |
| 2.2.1 实验原料及主要试剂 | 第38页 |
| 2.2.2 分子合成步骤 | 第38-40页 |
| 2.2.3 ITO玻璃清洗及处理 | 第40-41页 |
| 2.2.4 有机电存储存储器件的制备 | 第41页 |
| 2.2.5 分析测试及器件制备仪器 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-50页 |
| 2.3.1 ITO基底表面表征与测试 | 第42-44页 |
| 2.3.2 器件的性能表征与测试 | 第44-46页 |
| 2.3.3 分子测试与表征 | 第46-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 共轭分子位置异构调控晶畴界面对电存储器件性能的影响 | 第51-62页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 实验部分 | 第52-54页 |
| 3.2.1 实验原料及主要试剂 | 第52页 |
| 3.2.2 分子合成步骤 | 第52-53页 |
| 3.2.3 分析测试及器件制备仪器 | 第53-54页 |
| 3.2.4 器件的制备 | 第54页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第54-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 杂环分子中不同氧化态硫对薄膜表面形貌及电存储性能的影响 | 第62-72页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 实验部分 | 第63-66页 |
| 4.2.1 实验原料及主要试剂 | 第63页 |
| 4.2.2 分子合成步骤 | 第63-65页 |
| 4.2.3 分析测试及器件制备仪器 | 第65页 |
| 4.2.4 器件的制备 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第66-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 5.1 全文总结 | 第72-73页 |
| 5.2 本文存在的问题与展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-85页 |
| 攻读学位期间整理及公开发表的论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
