| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-22页 |
| ·光子晶体 | 第10-11页 |
| ·光子晶体的制作方法 | 第11-13页 |
| ·传统的制作方法 | 第11-12页 |
| ·光感应法制作光折变光子晶格 | 第12-13页 |
| ·光折变效应概述 | 第13-18页 |
| ·光折变效应的物理机制 | 第14-16页 |
| ·光折变效应的主要特征 | 第16页 |
| ·光折变效应的带输运模型 | 第16-18页 |
| ·光子晶格中的缺陷 | 第18-21页 |
| ·缺陷的概念及应用 | 第18-19页 |
| ·缺陷的制作方法 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 片光法构造缺陷态光折变光子晶格 | 第22-30页 |
| ·实验装置与实验现象 | 第22-25页 |
| ·实验装置 | 第22-23页 |
| ·实验结果 | 第23-25页 |
| ·实验条件对结果的影响 | 第25-27页 |
| ·辐照时间的影响 | 第25-26页 |
| ·晶体的参杂浓度的影响 | 第26页 |
| ·缺陷宽度的影响 | 第26-27页 |
| ·四方晶格和缺陷的数值模拟 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 点状缺陷光折变光子晶格的构造与研究 | 第30-43页 |
| ·实验装置与结果 | 第30-33页 |
| ·实验装置 | 第30-32页 |
| ·实验结果 | 第32-33页 |
| ·四方晶格的制作 | 第32页 |
| ·点缺陷的制作 | 第32-33页 |
| ·点缺陷光子晶格的构造 | 第33-34页 |
| ·点缺陷光子晶格局域光特性的研究 | 第34页 |
| ·实验条件对结果的影响 | 第34-38页 |
| ·写入时间的影响 | 第35页 |
| ·掩膜孔间距的影响 | 第35-37页 |
| ·掩膜孔直径的影响 | 第37页 |
| ·写入光强比的影响 | 第37-38页 |
| ·缺陷理论和数值模拟 | 第38-42页 |
| ·一维光子晶格中的线缺陷模理论 | 第38-40页 |
| ·二维光子晶格中的线缺陷模理论 | 第40-41页 |
| ·四方晶格和点缺陷的数值模拟 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 近红外光诱导铌酸锂晶体光折变现象的观察和研究 | 第43-50页 |
| ·近红外光诱导铌酸锂晶体光折变现象的实验观察 | 第43-47页 |
| ·实验装置 | 第43-44页 |
| ·近红外光折变现象的实验观察 | 第44-45页 |
| ·近红外光折变现象的实验结果分析 | 第45-47页 |
| ·近红外光折变现象的理论分析和模拟 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-53页 |
| ·工作总结 | 第50-51页 |
| ·未来工作展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 在硕士期间发表的学术论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |