| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| 1.1 太阳能电池的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 太阳能电池的基本理论 | 第10-13页 |
| 1.2.1 太阳能电池的工作原理 | 第10-12页 |
| 1.2.2 太阳能电池的主要性能参数 | 第12-13页 |
| 1.3 太阳电池的分类 | 第13-14页 |
| 1.4 CZTS薄膜太阳能电池 | 第14-15页 |
| 1.4.1 CZTS的性质和特点 | 第14页 |
| 1.4.2 CZTS薄膜太阳能电池的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 选题依据和研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第15-16页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第16页 |
| 1.6 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 薄膜的制备及其表征方法 | 第17-28页 |
| 2.1 磁控溅射法制备薄膜 | 第17-18页 |
| 2.2 真空蒸发法制备薄膜 | 第18页 |
| 2.3 管式电阻炉 | 第18-19页 |
| 2.4 X射线衍射分析仪 | 第19-21页 |
| 2.5 原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| 2.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.7 XPS测试分析仪 | 第23页 |
| 2.8 半导体光学性能的测试 | 第23-25页 |
| 2.9 霍尔效应测量仪 | 第25-27页 |
| 2.10 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 CZTS/In_2S_3异质结太阳能电池的数值模拟 | 第28-47页 |
| 3.1 电池模拟软件SCAPS-1D介绍 | 第28-29页 |
| 3.2 CZTS薄膜太阳电池模型的建立 | 第29-32页 |
| 3.2.1 SCAPS-1D物理模型 | 第29-31页 |
| 3.2.2 电池结构模型 | 第31-32页 |
| 3.3 吸收层材料参数对CZTS电池输出特性的影响 | 第32-38页 |
| 3.3.1 吸收层厚度对电池性能的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.2 吸收层载流子浓度对电池性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 吸收层缺陷态浓度对电池性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 缓冲层材料参数对CZTS电池输出特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.1 缓冲层厚度对电池性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.2 缓冲层载流子浓度对电池性能的影响 | 第40页 |
| 3.5 工作温度对CZTS电池输出特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.6 CZTS薄膜电池的优化 | 第41页 |
| 3.7 寄生电阻对CZTS电池性能的影响 | 第41-46页 |
| 3.7.1 寄生并联电阻对CZTS电池性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.7.2 寄生串联电阻对CZTS电池性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.8 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 Ag和Sn掺杂In_2S_3薄膜的研究 | 第47-55页 |
| 4.1 Ag和Sn掺杂的In_2S_3薄膜的制备 | 第47页 |
| 4.2 掺杂In_2S_3薄膜性能的研究 | 第47-54页 |
| 4.2.1 物相结构 | 第47-49页 |
| 4.2.2 表面形貌 | 第49-51页 |
| 4.2.3 光学特性 | 第51-54页 |
| 4.2.4 电学特性 | 第54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 CZTS/In_2S_3异质结能带偏移的研究 | 第55-64页 |
| 5.1 半导体异质结能带偏移简介 | 第55-56页 |
| 5.2 半导体异质结能带偏移的测试方法 | 第56-58页 |
| 5.2.1 X射线光电子能谱法 | 第56页 |
| 5.2.2 电容—电压法 | 第56-58页 |
| 5.2.3 量子阱光跃迁光谱 | 第58页 |
| 5.3 CZTS/In_2S_3异质结能带偏移的测量 | 第58-63页 |
| 5.3.1 CZTS/In_2S_3异质结的制备 | 第58-59页 |
| 5.3.2 实验结果与讨论 | 第59-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 内容总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 个人简历、在读期间的研究成果及发表的学术论文 | 第73页 |
