| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 氧化锆的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化锆的性质及应用 | 第12-18页 |
| 1.2.1 氧化锆的光学性质及应用 | 第12-14页 |
| 1.2.2 氧化锆的电学性质及应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 氧化锆的化学性质及应用 | 第15-17页 |
| 1.2.4 氧化锆的催化性质及应用 | 第17-18页 |
| 1.3 氧化锆的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 光辅助MOCVD技术及ZrO_2微纳结构的表征手段 | 第23-33页 |
| 2.1 光辅助金属有机化学气相沉积技术 | 第23-28页 |
| 2.1.1 MOCVD技术介绍 | 第23-25页 |
| 2.1.2 光辅助技术优势 | 第25-27页 |
| 2.1.3 光辅助MOCVD系统介绍 | 第27-28页 |
| 2.2 光辅助MOCVD法制备氧化锆 | 第28-30页 |
| 2.2.1 衬底及金属有机源的选择 | 第28-29页 |
| 2.2.2 制备氧化锆实验流程 | 第29-30页 |
| 2.3 氧化锆材料分析表征方法 | 第30-33页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.2 光致发光测试 | 第31页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第31-33页 |
| 第三章 LAO衬底上的ZrO_2微纳米结构生长研究 | 第33-46页 |
| 3.1 研究内容 | 第33-34页 |
| 3.2 生长参数对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第34-39页 |
| 3.2.1 生长温度对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 氧分压对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 生长时间对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 生长参数对氧化锆微米线形貌的影响 | 第39-43页 |
| 3.3.1 生长温度对氧化锆微米线形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 氧分压对氧化锆微米线形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.3 生长时间对氧化锆微米线形貌的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 氧化锆的PL及结晶取向分析 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Si衬底上的ZrO_2纳米点生长研究 | 第46-58页 |
| 4.1 研究内容 | 第46页 |
| 4.2 生长参数对Si（100）衬底上氧化锆纳米点形貌的影响 | 第46-51页 |
| 4.2.1 生长温度对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.2 生长时间对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 氧分压对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第49-51页 |
| 4.3 生长参数对Si（111）衬底上氧化锆纳米点形貌的影响 | 第51-57页 |
| 4.3.1 生长温度对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.2 生长时间对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.3 氧分压对氧化锆纳米点形貌的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
