| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 导论 | 第8-18页 |
| 1.1 选题的背景和研究意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 问题产生的背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 选题的目的 | 第10-11页 |
| 1.1.3 研究价值和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外的研究进展和评述 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国内外研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.2 国内外研究评述 | 第15页 |
| 1.3 研究的内容结构及其方法思路 | 第15-18页 |
| 1.3.1 研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 1.3.2 整体结构及其框架 | 第16页 |
| 1.3.3 主要的方法和思路 | 第16-18页 |
| 第二章 研究的理论基础和方法 | 第18-28页 |
| 2.1 平面展开法 | 第18-20页 |
| 2.2 密度泛涵理论简介 | 第20-24页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第23-24页 |
| 2.3 量子受限效应 | 第24-25页 |
| 2.4 计算工具及其方法 | 第25-28页 |
| 2.4.1 计算的方案概况 | 第25-26页 |
| 2.4.2 计算的可靠性和可信度 | 第26-28页 |
| 第三章 小尺寸硅量子点的量子受限效应和局域态的形成 | 第28-35页 |
| 3.1 含一个Si-O-Si桥键的量子点的态密度和结合能 | 第28-30页 |
| 3.2 含一个Si=O桥键的量子点的态密度 | 第30页 |
| 3.3 结构的存在性分析 | 第30-31页 |
| 3.4 实验研究 | 第31-33页 |
| 3.5 硅量子点的发光分析 | 第33-34页 |
| 3.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 量子受限效应和对称性效应对硅光子晶体禁带的影响 | 第35-43页 |
| 4.1 光子晶体基元形状对光子禁带的影响 | 第35-38页 |
| 4.1.1 几种二维光子晶格的致密度 | 第35-36页 |
| 4.1.2 光子晶体量子受限效应 | 第36-37页 |
| 4.1.3 电子晶体量子受限效应和光子晶体量子受限效应的比较 | 第37页 |
| 4.1.4 基元形状对带隙宽度的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 光子晶体散射基元的取向对光子禁带的影响 | 第38-41页 |
| 4.2.1 空气孔旋转时的晶体的两个重要几何性质及其影响 | 第38-39页 |
| 4.2.2 带隙的定义域宽度 Δf与对称性的关系 | 第39-40页 |
| 4.2.3 带隙的展宽机制 | 第40-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 不同对称性条件下光子晶体局域态的演化 | 第43-46页 |
| 5.1 光子晶体局域态的演化 | 第43-45页 |
| 5.2 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 总结与展望 | 第46-50页 |
| 6.1 研究成果总结 | 第46-47页 |
| 6.1.1 研究情况总结 | 第46-47页 |
| 6.1.2 主要研究成果 | 第47页 |
| 6.2 主要创新点和意义 | 第47-49页 |
| 6.2.1 研究的主要创新点 | 第47-48页 |
| 6.2.2 研究成果的价值和意义 | 第48-49页 |
| 6.3 进一步的研究展望 | 第49-50页 |
| 6.3.1 有待深入研究的问题 | 第49页 |
| 6.3.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 附录 | 第59页 |
