硅纳米线可控性生长及图形化制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10页 |
| 1.2 硅纳米线的制备方法 | 第10-17页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 激光烧蚀法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 热蒸发法 | 第13-14页 |
| 1.2.4 反应离子蚀刻法 | 第14-15页 |
| 1.2.5 金属催化腐蚀法 | 第15-17页 |
| 1.2.6 硅纳米线制备方法研究现状分析 | 第17页 |
| 1.3 硅纳米线图形化方法 | 第17-18页 |
| 1.3.1 自组装生长法 | 第17页 |
| 1.3.2 模板刻蚀法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 镀膜-窗口法 | 第18页 |
| 1.4 硅纳米线的应用 | 第18-19页 |
| 1.4.1 光伏应用 | 第18-19页 |
| 1.4.2 传感器应用 | 第19页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 硅纳米线的制备与表征 | 第21-29页 |
| 2.1 实验试剂与设备 | 第21-22页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第21页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2 硅纳米线的制备 | 第22-26页 |
| 2.2.1 溶液配置 | 第22页 |
| 2.2.2 硅片清洗 | 第22-24页 |
| 2.2.3 纳米线制备 | 第24-26页 |
| 2.3 硅纳米线的表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第26-27页 |
| 2.3.3 X 射线衍射 | 第27页 |
| 2.3.4 光致发光谱 | 第27页 |
| 2.3.5 紫外-可见漫反射谱 | 第27页 |
| 2.3.6 红外吸收光谱 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 硅纳米线可控性生长 | 第29-53页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 硅纳米线的线型控制 | 第29-35页 |
| 3.2.1 垂直型纳米线 | 第29-30页 |
| 3.2.2 倾斜型纳米线 | 第30-31页 |
| 3.2.3 折线型纳米线 | 第31-32页 |
| 3.2.4 混合型纳米线 | 第32-33页 |
| 3.2.5 纳米线线型的形成机理 | 第33-35页 |
| 3.3 硅纳米线的尺寸形貌控制 | 第35-51页 |
| 3.3.1 银沉积时间的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 刻蚀时间的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.3 刻蚀温度的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.4 硝酸银浓度的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.5 过氧化氢浓度的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.6 氢氟酸浓度的影响 | 第45-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 硅纳米线制备方法探究与性能分析 | 第53-70页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 硅纳米制备方法探究 | 第53-62页 |
| 4.2.1 纳米线单步刻蚀法 | 第53-55页 |
| 4.2.2 氢氟酸-硝酸铁刻蚀体系的特征 | 第55-58页 |
| 4.2.3 两步法中银颗粒刻蚀硅片的方式 | 第58-60页 |
| 4.2.4 纳米线的两步法制备机理 | 第60-62页 |
| 4.3 硅纳米线性能评价 | 第62-68页 |
| 4.3.1 能谱特征 | 第62-63页 |
| 4.3.2 X 射线衍射特征 | 第63-64页 |
| 4.3.3 紫外-可见漫反射谱特征 | 第64-66页 |
| 4.3.4 红外吸收光谱特征 | 第66页 |
| 4.3.5 拉曼光谱特征 | 第66-68页 |
| 4.3.6 光致发光谱特征 | 第68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第5章 硅纳米线图形化制备 | 第70-77页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 硅纳米线的图形化 | 第70-76页 |
| 5.2.1 硅片的表面预处理 | 第70-72页 |
| 5.2.2 纳米线刻蚀 | 第72-74页 |
| 5.2.3 刻蚀时间对纳米线图形化的影响 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
