| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO基本性质 | 第13-18页 |
| 1.2.1 ZnO晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 ZnO晶体缺陷 | 第14-16页 |
| 1.2.3 ZnO光学特性 | 第16-18页 |
| 1.3 合成方法 | 第18-23页 |
| 1.3.1 气相法 | 第19-22页 |
| 1.3.1.1 VLS机制 | 第19-22页 |
| 1.3.1.2 VS机制 | 第22页 |
| 1.3.2 液相法 | 第22-23页 |
| 1.4 ZnO基光电器件研究进展 | 第23-26页 |
| 1.5 ZnO能带工程 | 第26-28页 |
| 1.6 课题研究意义 | 第28-31页 |
| 第2章 实验试剂及表征测试方法 | 第31-37页 |
| 2.1 实验试剂 | 第31页 |
| 2.2 测试表征仪器 | 第31-37页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD，X-ray diffraction） | 第32-33页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM，scanning electron microscope） | 第33-34页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM，transmission electron microscope） | 第34-35页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱（XPS，X-ray Photoelectron Spectroscopy） | 第35页 |
| 2.2.5 光致发光（PL，photoluminescence）光谱 | 第35-37页 |
| 第3章 Ga掺杂ZnO纳米线可控合成和发光性能测试 | 第37-50页 |
| 3.1 Ga掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第37-40页 |
| 3.1.1 CVD方法制备ZnO纳米线 | 第37-39页 |
| 3.1.2 Ga掺杂ZnO纳米线 | 第39-40页 |
| 3.2 Ga掺杂ZnO纳米线表征 | 第40-47页 |
| 3.2.1 形貌表征 | 第40-42页 |
| 3.2.2 物相表征 | 第42-44页 |
| 3.2.3 化学成分表征 | 第44-47页 |
| 3.3 Ga掺杂ZnO纳米线性能测试 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 Ga-N共掺ZnO纳米线可控合成和发光性能测试 | 第50-60页 |
| 4.1 Ga-N共掺ZnO纳米线的制备 | 第50-51页 |
| 4.2 Ga-N共掺ZnO纳米线表征 | 第51-57页 |
| 4.2.1 形貌表征 | 第51-52页 |
| 4.2.2 物相表征 | 第52-54页 |
| 4.2.3 化学成分表征 | 第54-57页 |
| 4.3 Ga-N共掺ZnO纳米线的性能测试 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
