| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 GaN材料发展历史及其研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 常见的GaN基紫外探测器结构 | 第13-18页 |
| 1.3.1 光导型探测器 | 第14-15页 |
| 1.3.2 GaN基MSM结构的紫外光探测器 | 第15-16页 |
| 1.3.3 pn结和PIN结构探测器 | 第16-17页 |
| 1.3.4 肖特基结构的探测器 | 第17-18页 |
| 1.3.5 紫外探测器的性能参数 | 第18页 |
| 1.4 光电化学型自供能紫外探测器 | 第18-22页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-32页 |
| 第二章 材料制备和表征方法 | 第32-43页 |
| 2.1 纳米材料的制备 | 第32-36页 |
| 2.1.1 氨化还原法 | 第32-33页 |
| 2.1.2 静电纺丝法 | 第33-34页 |
| 2.1.3 水热法 | 第34-35页 |
| 2.1.4 旋涂法（spin-coating technique） | 第35页 |
| 2.1.5 滴涂干燥法（drop-drying） | 第35-36页 |
| 2.2 材料的表征 | 第36-38页 |
| 2.2.1 扫描电子显微技术（SEM） | 第36页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第36页 |
| 2.2.3 X射线衍射（XRD） | 第36-37页 |
| 2.2.4 Raman能谱技术 | 第37页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第37-38页 |
| 2.3 光电化学型自供能紫外探测器的封装与测试 | 第38-41页 |
| 2.3.1 器件的封装 | 第38页 |
| 2.3.2 光电化学性能测试与分析手段 | 第38-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 基于GaN纳米多孔薄膜光电化学紫外探测器 | 第43-57页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 GaN纳米颗粒的制备及GaN纳米多孔薄膜光阳极结构 | 第43-46页 |
| 3.3 GaN纳米多孔薄膜基光电化学紫外探测器 | 第46-49页 |
| 3.4 TiO_2改性GaN纳米多孔薄膜基光电化学紫外探测器 | 第49-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 基于GaN纳米线的光电化学紫外探测器 | 第57-70页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 静电纺丝制备氮化镓纳米线 | 第58-64页 |
| 4.3 基于GaN纳米线网络光电化学型紫外探测器 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 基于GaN纳米棒的光电化学紫外探测器 | 第70-79页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 水热合成GaN NRs及其形貌表征 | 第70-73页 |
| 5.3 基于GaN NRs光电化学型紫外探测器 | 第73-77页 |
| 5.4 总结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 总结 | 第79-80页 |
| 6.2 展望 | 第80-81页 |
| 在学期间研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
