| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 石墨烯研究的历史和基础 | 第11-18页 |
| 1.1.1 从争议的理论模型到诺贝尔物理学奖 | 第11-13页 |
| 1.1.2 石墨烯的能带结构 | 第13-15页 |
| 1.1.3 石墨烯的一些基本物理性质 | 第15-18页 |
| 1.2 石墨烯的实验制备和探测 | 第18-23页 |
| 1.2.1 石墨烯的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.2.2 石墨烯的结构表征技术 | 第21-23页 |
| 1.3 石墨烯在光子学器件中的应用 | 第23-28页 |
| 1.3.1 光电探测器 | 第23-25页 |
| 1.3.2 光调制器 | 第25-26页 |
| 1.3.3 光偏振控制器 | 第26-28页 |
| 1.4 本论文的研究内容和创新点 | 第28-30页 |
| 第2章 基于石墨烯的光学可调材料 | 第30-46页 |
| 2.1 石墨烯的光学电导率 | 第30-34页 |
| 2.2 石墨烯表面等离子体的理论模型 | 第34-41页 |
| 2.2.1 传统IMI波导的表面等离子体色散特性 | 第34-38页 |
| 2.2.2 石墨烯表面等离子体的色散特性 | 第38-41页 |
| 2.3 基于石墨烯可调的双曲超材料 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第3章 基于石墨烯的宽带吸波 | 第46-66页 |
| 3.1 宽带吸波器件的设计 | 第47-53页 |
| 3.1.1 结构模型与材料参数 | 第47-50页 |
| 3.1.2 宽带吸波的效果 | 第50-52页 |
| 3.1.3 等效介质模型 | 第52-53页 |
| 3.2 宽带吸波的慢波理论 | 第53-59页 |
| 3.2.1 模拟结果的场分布 | 第53-55页 |
| 3.2.2 慢波模式的理论分析 | 第55-59页 |
| 3.3 介质层厚度对吸收的影响 | 第59-61页 |
| 3.4 吸波模型的改进 | 第61-65页 |
| 3.4.1 存在的周期模式 | 第61-64页 |
| 3.4.2 消除周期模式的影响 | 第64页 |
| 3.4.3 模型在波段上的可扩展性 | 第64-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 基于石墨烯的圆偏振分光器件 | 第66-87页 |
| 4.1 介电常数接近零的磁性超材料 | 第67-71页 |
| 4.1.1 物理模型 | 第67-69页 |
| 4.1.2 基于石墨烯ENZ材料的参数研究 | 第69-71页 |
| 4.2 器件对不同圆偏振的调控 | 第71-78页 |
| 4.2.1 理论基础 | 第71-75页 |
| 4.2.2 垂直入射的情况分析 | 第75-76页 |
| 4.2.3 器件对不同圆偏振光的选择性透过 | 第76-78页 |
| 4.3 设计的圆偏振分光器件的性能研究 | 第78-85页 |
| 4.3.1 不同磁场强度下的分光效果 | 第78-81页 |
| 4.3.2 工作带宽 | 第81-82页 |
| 4.3.3 石墨烯化学势的影响 | 第82-83页 |
| 4.3.4 斜入射的情况 | 第83-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 基于石墨烯带等离子体以及F-P腔的磁光克尔效应增强 | 第87-108页 |
| 5.1 理论基础 | 第87-100页 |
| 5.2 器件模型及分析 | 第100-103页 |
| 5.3 基于F-P增强的磁致旋光 | 第103-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-108页 |
| 第6章 总结和展望 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-123页 |
| 作者简历 | 第123页 |