| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第9-13页 |
| 1.2.1 霍尔效应与量子霍尔效应 | 第9-11页 |
| 1.2.2 量子自旋霍尔效应-----二维拓扑绝缘体 | 第11-13页 |
| 1.3 拓扑狄拉克半金属 | 第13-14页 |
| 1.4 薄膜生长技术 | 第14-18页 |
| 1.4.1 薄膜的形核与生长 | 第15-16页 |
| 1.4.2 影响薄膜外延的因素 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文的研究内容及结构 | 第18-19页 |
| 第二章 实验技术与原理 | 第19-34页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第19-20页 |
| 2.2 超高真空技术 | 第20-22页 |
| 2.3 分子束外延技术 | 第22-25页 |
| 2.4 原子力显微镜 | 第25-28页 |
| 2.4.1 原子力显微镜的基本原理 | 第26-28页 |
| 2.4.2 原子力显微镜的基本结构和工作模式 | 第28页 |
| 2.5 反射高能电子衍射仪 | 第28-31页 |
| 2.6 X射线衍射(XRD) | 第31页 |
| 2.7 X射线光电子能谱 | 第31-34页 |
| 2.7.1 XPS的原理与应用 | 第32-33页 |
| 2.7.2 元素灵敏度因子法 | 第33-34页 |
| 第三章 ZrTe_5薄膜的MBE生长及特性研究 | 第34-49页 |
| 3.1 研究背景 | 第34-40页 |
| 3.1.1 ZrTe_5/HfTe_5材料简介 | 第34-35页 |
| 3.1.2 ZrTe_5/HfTe_5材料生长方式及物理特性回顾 | 第35-39页 |
| 3.1.3 ZrTe_5/HfTe_5的量子自旋霍尔效应 | 第39-40页 |
| 3.2 STO衬底的处理方法 | 第40-43页 |
| 3.2.1 STO(111)衬底的处理方法 | 第41-42页 |
| 3.2.2 STO(100)衬底的处理方法 | 第42-43页 |
| 3.3 STO上ZrTe_5薄膜的生长 | 第43-48页 |
| 3.3.1 ZrTe_5薄膜的分子束外延(MBE)生长 | 第43-45页 |
| 3.3.2 不同衬底上ZrTe_5薄膜的外延生长 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Cd_3As_2薄膜的MBE生长及特性研究 | 第49-63页 |
| 4.1 研究背景 | 第49-51页 |
| 4.2 不同衬底上Cd_3As_2薄膜的外延生长 | 第51-58页 |
| 4.3 Cd_3As_2薄膜的电输运测量 | 第58-60页 |
| 4.4 关于MBE生长的讨论 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 论文总结及展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
