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含有f价壳层电子的金属限域系统电子结构理论研究

摘要第4-8页
Abstract第8-12页
第1章 绪论第17-33页
    1.1 f 电子第17-18页
    1.2 p 电子第18-20页
    1.3 富勒烯第20-22页
    1.4 内嵌式金属富勒烯第22-24页
    1.5 f 电子与 p 电子之间的相互作用,内嵌 f 元素金属富勒烯第24-26页
    1.6 研究目的及意义第26页
    参考文献第26-33页
第2章 理论模型与计算方法第33-63页
    2.1 Hartree 方法第33-35页
    2.2 分子轨道理论第35-37页
    2.3 斯莱特行列式第37-39页
    2.4 Hartree-Fock 方法第39-42页
    2.5 Roothaan 方法第42-43页
    2.6 非限制性的 Hartree-Fock 方法第43-44页
    2.7 Thomas-Fermi 方法第44-45页
    2.8 Hohenberg-Kohn 理论第45-46页
    2.9 Kohn-Sham 方程第46-47页
    2.10 密度泛函理论第47-48页
    2.11 局域密度近似第48-49页
    2.12 广义梯度近似第49页
    2.13 相对论密度泛函第49-50页
    2.14 自旋污染第50-52页
    2.15 紧束缚理论第52-53页
    2.16 密度泛函紧束缚方法第53-54页
    2.17 DFTB+U 方法第54-55页
    参考文献第55-63页
第3章 由 32 电子规则诱导的 U@C28电子结构理论研究第63-85页
    3.1 引言第63-64页
    3.2 计算细节第64页
    3.3 结果与讨论第64-79页
    3.4 小结第79页
    参考文献第79-85页
第4章 Gd@C82的基态和电子结构理论研究第85-117页
    4.1 引言第85-88页
    4.2 计算细节第88-89页
    4.3 结果与讨论第89-105页
    4.4 小结第105-107页
    参考文献第107-117页
第5章 限域于 C90富勒烯中的 U2电子结构理论研究第117-125页
    5.1 引言第117-118页
    5.2 计算细节第118页
    5.3 结果与讨论第118-122页
    5.4 小结第122页
    参考文献第122-125页
第6章 内嵌金属富勒烯 U@C60的电子结构理论研究第125-139页
    6.1 引言第125-126页
    6.2 计算细节第126-127页
    6.3 结果与讨论第127-134页
    6.4 小结第134页
    参考文献第134-139页
第7章 内嵌式异核双金属富勒烯(U-Gd)@C60的理论设计第139-161页
    7.1 引言第139-141页
    7.2 计算细节第141-142页
    7.3 结果与讨论第142-153页
    7.4 小结第153-154页
    参考文献第154-161页
第8章 缺陷诱导的铀富勒烯的高自旋态电子结构理论研究第161-183页
    8.1 引言第161-163页
    8.2 计算细节第163页
    8.3 结果与讨论第163-176页
    8.4 小结第176页
    参考文献第176-183页
第9章 缺陷对铀富勒烯电子结构的调节理论研究第183-207页
    9.1 引言第183-185页
    9.2 计算细节第185-186页
    9.3 结果与讨论第186-200页
    9.4 小结第200页
    参考文献第200-207页
第10章 基于紧束缚密度泛函理论(DFTB)对碳表面吸附缺陷的调 U 参数理论研究第207-229页
    10.1 引言第207-209页
    10.2 计算细节第209-211页
    10.3 结果与讨论第211-222页
    10.4 小结第222-224页
    参考文献第224-229页
第11章 总结与展望第229-233页
    11.1 总结第229-231页
    11.2 展望第231-233页
作者在学期间所取得的科研成果第233-237页
致谢第237页

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